处理中...

首页  >  产品百科  >  HAF2014-90-VB

HAF2014-90-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,50A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO220 是一款单通道N沟道场效应管,具有适中的电压容限和漏极电流,适用于中功率应用场景。
供应商型号: HAF2014-90-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) HAF2014-90-VB

HAF2014-90-VB概述


    产品简介


    本手册详细介绍的是HAF2014-90-VB型号的N-Channel 60V(D-S)MOSFET。这是一种表面贴装式(Surface Mount)电子元器件,符合RoHS指令2002/95/EC及无卤素要求(IEC 61249-2-21定义)。这类MOSFET在快速开关应用中表现出色,特别适合逻辑电平门驱动电路,具备动态dv/dt评级。它们广泛应用于各类电子设备中,如电源管理和电机控制等领域。

    技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压(VDS):60 V
    - 栅源电压(VGS):±20 V
    - 连续漏极电流(ID):50 A(TC=25°C),36 A(TC=100°C)
    - 脉冲漏极电流(IDM):200 A
    - 最大功率耗散(PD):150 W(TC=25°C)
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压(VDS):60 V
    - 栅源阈值电压(VGS(th)):1.0 - 2.5 V
    - 零栅压漏电流(IDSS):-25 μA
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):0.024 Ω(VGS=10 V),0.028 Ω(VGS=4.5 V)
    - 动态参数
    - 输入电容(Ciss):190 pF
    - 输出电容(Coss):-
    - 逆向转移电容(Crss):-
    - 总栅极电荷(Qg):66 nC

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:在10V和4.5V栅压下分别具有0.024 Ω和0.028 Ω的导通电阻,保证了在不同条件下优异的开关性能。
    - 无卤素和符合RoHS标准:满足环保需求,适用于绿色电子产品。
    - 快速开关能力:具备动态dv/dt评级,适合高频应用。
    - 逻辑电平门驱动:易于与其他逻辑电路接口,简化设计流程。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    HAF2014-90-VB MOSFET常用于电源管理单元、电机驱动、电池充电器等应用中。例如,在一个电机驱动系统中,这款MOSFET可以有效地控制电机的启动和停止,通过快速开关实现高效能。
    使用建议
    1. 散热管理:由于最高功率耗散可达150W,合理设计散热方案是必要的,确保长期稳定运行。
    2. 应用测试:在实际应用前,应在小规模环境下进行测试,验证其在特定温度下的性能表现。

    兼容性和支持


    HAF2014-90-VB MOSFET支持与其他相同封装和电气特性的器件进行互换,方便设计人员灵活选择。制造商提供了详尽的技术文档和支持,可通过官方网站获得。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:器件过热。
    - 解决方案:增加散热片或改善散热设计。
    - 问题2:开关频率不稳定。
    - 解决方案:检查输入电源和负载状况,确认没有额外干扰。

    总结和推荐


    综上所述,HAF2014-90-VB是一款高性能的N-Channel MOSFET,以其低导通电阻、快速开关能力和良好的环境适应性在市场上脱颖而出。对于需要高性能和环保材料的应用来说,它是一个非常不错的选择。我们强烈推荐在相关的电子设备设计中采用这款MOSFET。

HAF2014-90-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
栅极电荷 -
配置 -
Id-连续漏极电流 50A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@10V,28mΩ@4.5V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

HAF2014-90-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

HAF2014-90-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 HAF2014-90-VB HAF2014-90-VB数据手册

HAF2014-90-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.7504
100+ ¥ 1.6207
500+ ¥ 1.5558
1000+ ¥ 1.4911
库存: 400000
起订量: 20 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:20
合计: ¥ 35
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336