处理中...

首页  >  产品百科  >  2SK665-VB

2SK665-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,20V,4A,RDS(ON),45mΩ@10V,49mΩ@4.5V,60mΩ@2.5V,12Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SC70-3在电动工具控制器中,可用作电机驱动器件,通过其高压承受能力和低导通电阻,实现电动工具的高效驱动和性能提升。
供应商型号: 2SK665-VB SC70-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SK665-VB

2SK665-VB概述

    N-Channel 20 V (D-S) MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    N-Channel 20 V (D-S) MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种高效能的功率MOSFET,适用于便携式设备中的负载开关和电池开关。其主要功能是控制电流流动,并通过外部信号进行开关操作,广泛应用于电机、继电器和螺线管等负载开关的控制中。

    技术参数


    - 电压范围:VDS = 20 V
    - 漏源导通电阻(在不同栅源电压下的典型值):
    - VGS = 10 V:RDS(on) = 0.036 Ω
    - VGS = 4.5 V:RDS(on) = 0.040 Ω
    - VGS = 2.5 V:RDS(on) = 0.048 Ω
    - 连续漏极电流:ID = 4 A
    - 栅源电荷:Qg(Typ.) = 4 nC
    - 栅电阻:Rg = 0.4 kΩ (f = 1 MHz)
    - 绝对最大额定值:
    - 栅源电压 (VGS):±12 V
    - 漏源电压 (VDS):20 V
    - 连续漏极电流 (TJ = 150 °C):ID = 4 A (TC = 25 °C)

    产品特点和优势


    1. 无卤素材料:符合IEC 61249-2-21标准定义,环保安全。
    2. 高静电放电保护:HBM模式下达到2000 V,确保长期可靠运行。
    3. 100% Rg测试:每颗芯片均经过严格的栅极电阻测试。
    4. 符合RoHS指令:确保电子废弃物处理符合国际标准。

    应用案例和使用建议


    1. 便携式设备:例如移动电源中的电池开关,以实现精准控制。
    2. 电机、继电器和螺线管的控制:在需要精细电流调节的应用中表现出色。
    3. 负载开关:适合各种需要频繁开关操作的场合。
    使用建议:
    - 在设计电路时,确保栅极电压不超出最大额定值,以免损坏MOSFET。
    - 由于漏源导通电阻随温度变化,建议适当增加散热措施以确保最佳性能。
    - 在高频率应用中,应注意栅极电阻的影响,避免不必要的开关损耗。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该MOSFET可以与其他标准的N-Channel MOSFET进行互换,方便系统升级和维护。
    - 厂商支持:制造商提供详尽的技术文档和售后支持,确保用户能够充分利用该产品的各项功能。

    常见问题与解决方案


    1. 栅源电压过高导致损坏:
    - 解决方法:严格遵守产品手册中的绝对最大额定值,使用栅极驱动电路限制栅源电压。
    2. 发热严重导致失效:
    - 解决方法:增加散热片或者散热器,确保设备在安全温度范围内运行。
    3. 栅极噪声干扰:
    - 解决方法:在栅极引脚上加装RC滤波器,减小外界噪声干扰。

    总结和推荐


    N-Channel 20 V (D-S) MOSFET是一款高效可靠的功率MOSFET,适用于多种应用场景。其无卤素材料、高静电放电保护和符合RoHS指令等特点使其在市场上具有显著的竞争力。总体而言,我们强烈推荐使用这款MOSFET来满足便携式设备和其他负载开关控制的需求。
    如果您有任何疑问或需要进一步的技术支持,请联系我们的服务热线:400-655-8788。

2SK665-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 4A
配置 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 45mΩ@10V,49mΩ@4.5V,60mΩ@2.5V
Vgs-栅源极电压 12V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
Vds-漏源极击穿电压 20V
通道数量 -
通用封装 SC-70-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

2SK665-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SK665-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SK665-VB 2SK665-VB数据手册

2SK665-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
70+ ¥ 0.389
300+ ¥ 0.3602
500+ ¥ 0.3457
3000+ ¥ 0.3313
库存: 400000
起订量: 70 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:70
合计: ¥ 27.23
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504