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IRL620S-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,200V,10A,RDS(ON),260mΩ@10V,370mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO263
供应商型号: IRL620S-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRL620S-VB

IRL620S-VB概述

    IRL620S Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    IRL620S 是一款高性能的 N-沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它采用表面贴装技术(Surface Mount),具有卤素自由无铅、RoHS 兼容的特点。这种器件主要用于开关电源、马达控制和高能效逆变器等应用场合,能够在高频和大电流条件下可靠运行。

    2. 技术参数


    - VDS (V):200
    - RDS(on) (Ω):VGS = 10 V 时为 0.30
    - Qg (Max.) (nC):43
    - Qgs (nC):7.0
    - Qgd (nC):23
    - 配置:单个
    - 绝对最大额定值:
    - VDS (V):200
    - VGS (V):± 20
    - ID (A):10 V 下 6.7 A
    - IMD (A):36
    - 峰值二极管恢复 dv/dt (V/ns):5.0
    - 单脉冲雪崩能量 EAS (mJ):250
    - 重复雪崩电流 IAR (A):9.0
    - 重复雪崩能量 EAR (mJ):7.4
    - 典型特性:
    - 栅源阈值电压 VGS(th) (V):2.0 - 4.0
    - 零栅电压漏极电流 IDSS (μA):25
    - 静态导通电阻 RDS(on) (Ω):VGS = 10 V 时 0.30
    - 输入电容 Ciss (pF):最大 800
    - 输出电容 Coss (pF):最大 240
    - 反向转移电容 Crss (pF):最大 76

    3. 产品特点和优势


    IRL620S 的独特之处在于它的高动态 dv/dt 额定值、重复雪崩耐受能力和简单的驱动要求。此外,该器件具备快速开关性能、并联简易性及符合环保标准(卤素自由和 RoHS 合规)。这些特性使其成为电源管理和电机控制应用的理想选择。

    4. 应用案例和使用建议


    IRL620S 可广泛应用于各种高功率密度的系统中,如 DC-DC 转换器、电池管理系统、伺服驱动器和通信电源模块。在具体应用中,用户需注意以下几点:
    - 散热管理:确保良好的散热设计以避免过热现象,特别是在连续工作条件下。
    - 驱动电路:设计合适的驱动电路以充分利用其快速开关性能,减少开关损耗。
    - 寄生电感:优化 PCB 布局以降低寄生电感,提升整体性能。

    5. 兼容性和支持


    IRL620S 设计兼容多种封装形式,如 D2PAK (TO-263) 封装。制造商提供全面的技术支持和应用指南,帮助用户快速上手并优化系统性能。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率过低 | 检查驱动电路是否正确,确认栅极电容匹配 |
    | 系统发热严重 | 改善散热设计,增加散热片或风扇 |
    | 驱动信号异常 | 检查驱动电路连接是否正确 |

    7. 总结和推荐


    IRL620S 功率 MOSFET 是一款高效、可靠的器件,适用于需要高功率密度和高可靠性应用的系统。其卓越的性能和广泛的适用范围使其在市场上具有很强的竞争优势。对于需要高性能和低成本解决方案的工程师而言,IRL620S 是一个非常值得推荐的选择。

IRL620S-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 200V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.2V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 10A
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 260mΩ@10V,370mΩ@4.5V
通道数量 -
栅极电荷 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRL620S-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRL620S-VB数据手册

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IRL620S-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 2.419
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