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IRFHM830TR2PBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。N沟道,30V,40A,RDS(ON),3.9mΩ@10V,5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.2Vth(V) 封装:QFN8(3X3)
供应商型号: IRFHM830TR2PBF-VB QFN8(3X3)
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFHM830TR2PBF-VB

IRFHM830TR2PBF-VB概述

    IRFHM830TR2PBF-VB MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    IRFHM830TR2PBF-VB 是一款N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种电子应用场合。该器件具有30V的漏源电压(VDS)和低导通电阻(RDS(on)),使其成为电机控制、工业应用、负载开关及ORing电路的理想选择。其卓越的性能和可靠性使它在众多电子应用中脱颖而出。

    技术参数


    | 参数 | 规格 |

    | 漏源电压 (VDS) | 30 V |
    | 门源电压 (VGS) | ± 20 V |
    | 持续漏极电流 (ID) | 22 A @ TC = 70 °C, 35 A @ TC = 25 °C |
    | 脉冲漏极电流 (IMD) | 150 A |
    | 最大功耗 (PD) | 52 W @ TC = 25 °C, 33 W @ TC = 70 °C |
    | 导通电阻 (RDS(on)) | 0.0040 Ω @ VGS = 4.5 V, ID = 10 A |
    | 总栅电荷 (Qg) | 33.5 nC |
    | 阈值电压 (VGS(th)) | 0.5 ~ 1.5 V |

    产品特点和优势


    IRFHM830TR2PBF-VB 具有多项独特功能和优势,使其在市场上具备较强的竞争力:
    - 无卤材料:符合IEC 61249-2-21标准,对环境友好。
    - TrenchFET®技术:提高了器件的性能和效率。
    - 100% Rg和UIS测试:确保器件在极端条件下的可靠性和稳定性。
    - 符合RoHS指令:适合在欧洲市场销售的产品。

    应用案例和使用建议


    IRFHM830TR2PBF-VB 可广泛应用于以下几个领域:
    - 电机控制:因其出色的性能,可用于电动机的控制和保护。
    - 工业应用:适用于各种需要高稳定性和高性能的应用场合。
    - 负载开关:能够有效管理和切换高功率负载。
    - ORing电路:可以提供高可靠性且有效的电源管理。
    使用建议:
    - 在设计电路时,需充分考虑器件的工作温度范围,特别是在高温环境下,注意散热措施。
    - 确保在设计阶段就正确选择和配置栅极电阻(Rg)以优化开关性能。

    兼容性和支持


    该器件与多种标准的电路板兼容,适用于大多数工业应用场合。厂商提供了详尽的技术支持,包括在线文档、应用指南和技术咨询服务。如果您在使用过程中遇到任何问题,可以通过官方渠道获得帮助和支持。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致过热 | 加强散热措施,适当降低开关频率 |
    | 无法达到额定电流 | 检查电路连接是否正确,确认负载没有超过额定值 |
    | 电路不稳定 | 重新校准栅极电阻(Rg) |

    总结和推荐


    综上所述,IRFHM830TR2PBF-VB 是一款高性能、高可靠性的N沟道MOSFET。它在电机控制、工业应用等领域表现出色,适用于需要高效能和稳定性的应用场景。其独特的设计和优越的性能,使其在市场上具备明显的竞争优势。强烈推荐用于需要高性能MOSFET的应用场合。
    如有任何疑问或技术支持需求,欢迎随时联系我们的服务热线:400-655-8788。

IRFHM830TR2PBF-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 3.9mΩ@10V,5mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 30V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 40A
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.2V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
通用封装 QFN-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRFHM830TR2PBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFHM830TR2PBF-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFHM830TR2PBF-VB IRFHM830TR2PBF-VB数据手册

IRFHM830TR2PBF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.5269
100+ ¥ 2.3398
500+ ¥ 2.1526
5000+ ¥ 2.059
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