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NCE60R260-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220 用于工业电机调速控制的电力电子调速器中,该型号的MOSFET可以实现高效的电能转换和调节,提高设备的运行效率。
供应商型号: NCE60R260-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NCE60R260-VB

NCE60R260-VB概述

    NCE60R260 650V N-Channel Super Junction MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NCE60R260 是一款 650V 的 N-Channel 超级结 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它专为高效率电源转换和工业应用设计,具备低导通电阻、快速开关特性和低寄生电容,使其成为服务器和电信电源、照明系统、ATX 电源、焊接机及太阳能逆变器等应用的理想选择。

    2. 技术参数


    - 关键规格
    - 最大漏源电压 (VDS): 650V
    - 最大漏源导通电阻 (RDS(on)): 0.19Ω @ 25°C (VGS=10V)
    - 最大总栅极电荷 (Qg): 106nC @ 25°C (VGS=10V, ID=11A)
    - 最大输入电容 (Ciss): 2322pF @ VGS=0V, VDS=100V, f=1MHz
    - 最大输出电容 (Coss): 105pF
    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDS): 650V
    - 栅源电压 (VGS): ±30V
    - 连续漏电流 (TJ=150°C): 20A @ VGS=10V (TC=25°C), 13A @ TC=100°C
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 367mJ

    3. 产品特点和优势


    - 低栅极电荷 (Qg): 有效降低栅极驱动功率损耗。
    - 快速恢复时间 (trr): 低栅极恢复电荷 (Qrr) 和快速恢复电流 (IRRM),减少开关损耗。
    - 低导通电阻 (RDS(on)): 提供高效能的电流通道,适用于高效率应用。
    - 低输入电容 (Ciss): 减少栅极驱动电路的功耗和延迟。
    - 高可靠性: 高雪崩能量等级,适用于严苛的工业应用。

    4. 应用案例和使用建议


    - 电信电源: 用于服务器和电信设备,因其低损耗和高效率特性。
    - 照明系统: 在高强度放电灯和荧光灯球泡中,能提供高效的开关控制。
    - 消费电子和计算设备: 如 ATX 电源,可以显著提高电源效率。
    - 焊接设备: 能够处理瞬态高压,适合工业焊接应用。
    - 太阳能逆变器: 高效的电力转换,提升能源利用率。
    使用建议:
    - 在高频开关应用中,确保正确的栅极驱动电路设计以优化性能。
    - 使用适当的散热措施来维持低温度,以保持高效率。
    - 结合适当的门极电阻,以减少电磁干扰并优化开关性能。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 该器件与多种工业标准兼容,可与其他电子元器件无缝集成。
    - 支持: 厂商提供详尽的技术文档和应用指南,客户技术支持服务保证及时响应和解决方案。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 开关过程中过热?
    - A: 确保使用足够大的散热片,并适当增加散热片面积。同时,检查电路布局,确保良好的热管理。

    - Q: 栅极电压不稳定?
    - A: 检查门极驱动电路,确保有足够的去耦电容,并优化电路布局以减少噪声干扰。
    - Q: 开关速度慢?
    - A: 调整门极电阻,降低到合适水平,同时检查电路布局,避免长走线导致的寄生电感影响。

    7. 总结和推荐


    NCE60R260 是一款高性能的超级结 MOSFET,特别适合高效率、高频和高可靠性要求的应用。它的低导通电阻和快速开关特性使它在多个行业中表现优异。我们强烈推荐此产品用于各种需要高效、可靠的电源管理和转换的应用。

NCE60R260-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 30V
Id-连续漏极电流 20A
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
配置 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

NCE60R260-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NCE60R260-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NCE60R260-VB NCE60R260-VB数据手册

NCE60R260-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 10.7972
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