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UK2996L-TF3-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 单N沟道MOSFET,采用Plannar技术,具有高性能和可靠性。该产品具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS)、以及3.5V的阈值电压(Vth)。其封装为TO220F,适用于各种应用场景。
供应商型号: UK2996L-TF3-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UK2996L-TF3-VB

UK2996L-TF3-VB概述

    UK2996L-TF3 N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    UK2996L-TF3 是一款高可靠性、高性能的N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于服务器和电信电源系统、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)及照明等领域。这种MOSFET通过其低损耗和高速开关特性,成为现代高效能电力转换和控制系统的理想选择。

    2. 技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 (VDS) | 650 | V |
    | 最大漏极电流 (ID) | 100 (TJ=150°C)| A |
    | 最大漏极耗散功率 (PD) | 2.5 | W |
    | 绝对最大栅源电压 (VGS) | ±30 | V |
    | 零栅电压漏极电流 (IDSS) | 1 (VDS=650V, VGS=0V) | μA |
    | 体二极管正向电流 (ISM) | 50 | A |
    | 体二极管恢复时间 (trr) | 190 | ns |
    | 热阻抗(结到环境)(RthJA) | 63 | °C/W |

    3. 产品特点和优势


    - 低损耗特性:具有低导通电阻(RDS(on))和超低门极电荷(Qg),降低了切换和传导损耗。
    - 高可靠性:经过严格的测试和验证,保证在极端工作环境下仍能保持高性能。
    - 高效率:适用于高要求的应用环境,如电源管理和电机控制等。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 用于电信和服务器电源系统。
    - 在工业照明和高功率放电灯中。
    - 开关模式电源(SMPS)和功率因数校正电源(PFC)。
    - 使用建议:
    - 根据负载特性合理设置驱动信号,确保在高温条件下仍有稳定的性能表现。
    - 避免过载使用,以延长产品寿命。
    - 在复杂电路设计时,需考虑寄生电感和电流采样电阻的布局,以减少潜在干扰。

    5. 兼容性和支持


    - 该MOSFET与标准TO-220封装相兼容,易于安装和更换。
    - 制造商提供全面的技术支持和售后服务,确保客户能够得到及时的技术帮助和产品咨询。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q1: 为什么在高温下漏极电流会减小?
    - A1: 这是因为随着温度升高,MOSFET的导通电阻(RDS(on))增加,从而导致漏极电流降低。建议通过良好的散热设计来保持较低的工作温度。

    - Q2: 如何测量总栅电荷(Qg)?
    - A2: 可通过测量在规定的VGS和ID条件下栅极的电荷积累量来确定总栅电荷。具体方法请参考技术手册中的图17所示电路。

    7. 总结和推荐


    UK2996L-TF3 N-Channel MOSFET凭借其出色的低损耗特性和高可靠性,非常适合于高要求的应用场合。其广泛的适用范围和制造商提供的优质技术支持使其在市场上具有强大的竞争力。对于需要高效率和稳定性的电力控制系统,强烈推荐使用此产品。

UK2996L-TF3-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.36V
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 830mΩ@ 10V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 10A
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

UK2996L-TF3-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UK2996L-TF3-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UK2996L-TF3-VB UK2996L-TF3-VB数据手册

UK2996L-TF3-VB封装设计

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