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2SK2542-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n500V,13A,RDS(ON),660mΩ@10V,20Vgs(±V);3.1Vth(V) 封装:TO220一款Single N结构的功率MOSFET,具有中等电压和电流特性,该器件适用于电源模块.
供应商型号: 2SK2542-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SK2542-VB

2SK2542-VB概述

    # 2SK2542-VB 电子元器件技术手册解读

    产品简介


    2SK2542-VB 是一款高性能 N-Channel Power MOSFET(功率金属氧化物半导体场效应晶体管),专为需要高可靠性和低功耗的应用设计。该产品广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器及通信设备等领域,具有优秀的电气特性和动态性能。
    主要特点:
    - 更低的门极电荷 Qg:简化了驱动电路设计,降低了驱动损耗。
    - 增强的鲁棒性:具备卓越的门极、雪崩和高 dV/dt 抵抗能力。
    - 全面的电容和雪崩电压特性:保证稳定的工作状态。
    - 符合 RoHS 指令 2002/95/EC:环保友好。

    技术参数


    以下是产品的主要技术规格:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 栅源击穿电压 | VGS(th) | 2.0 | - | 4.0 | V |
    | 栅源漏极电容(输出电容) | Coss | - | 290 | - | pF |
    | 输出电荷 | Qg | - | 81 | - | nC |
    | 开启时间 | td(on) | - | 15 | - | ns |
    | 关闭时间 | td(off) | - | 39 | - | ns |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) | - | 0.660 | - | Ω |
    | 漏源间击穿电压 | VDS | - | 500 | - | V |
    绝对最大额定值:
    - 栅源电压:±20 V
    - 连续漏极电流:8.1 A(TC = 100°C)
    - 单脉冲雪崩能量:560 mJ

    产品特点和优势


    1. 降低驱动需求:较低的门极电荷 Qg,使得驱动电路更简单且效率更高。
    2. 增强的耐用性:在门极、雪崩和动态 dV/dt 条件下表现出色,增强了产品的可靠性。
    3. 热管理:最大结到环境热阻 RthJA 为 62°C/W,确保长时间高效运行。
    4. 环保合规:符合RoHS指令和无卤素标准,适用于现代绿色制造。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    - 开关电源:适用于各种AC-DC转换器。
    - 电机驱动:适合工业自动化领域的高效驱动系统。
    - 逆变器:用于太阳能发电系统和其他可再生能源设备。
    使用建议
    为了最大化2SK2542-VB的优势,在使用时应注意以下几点:
    - 确保良好的散热设计以避免过热。
    - 使用低漏感的电路布局,减少寄生效应的影响。
    - 配备合适的门极驱动器,以充分利用其低 Qg 特性。

    兼容性和支持


    该产品与标准TO-220AB封装兼容,可直接替换同类产品。制造商提供详尽的技术文档和支持服务,包括样品申请和技术咨询,帮助客户快速集成至设计方案中。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关过程中出现异常发热 | 检查散热片安装是否正确并优化布局。|
    | 雪崩模式触发频繁 | 调整输入电压范围以防止过高应力。 |
    | 导通电阻偏大 | 确认驱动电压是否达到规定值。 |

    总结和推荐


    2SK2542-VB凭借其卓越的性能参数和多样化应用前景,在同类产品中脱颖而出。无论是从技术规格还是实际应用来看,它都是一款值得信赖的选择。对于需要高性能、低功耗的电源管理和电机控制场合,强烈推荐使用此款产品。同时,制造商提供的优质技术支持也为用户的后期开发提供了有力保障。

2SK2542-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 660mΩ@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.1V
Vds-漏源极击穿电压 500V
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Id-连续漏极电流 13A
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

2SK2542-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SK2542-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SK2542-VB 2SK2542-VB数据手册

2SK2542-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.887
100+ ¥ 3.5991
500+ ¥ 3.4551
1000+ ¥ 3.3111
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