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UTT20N06-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,50A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO220 是一款单通道N沟道场效应管,具有适中的电压容限和漏极电流,适用于中功率应用场景。
供应商型号: UTT20N06-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UTT20N06-VB

UTT20N06-VB概述

    UTT20N06 N-Channel 60V MOSFET 技术手册

    产品简介


    UTT20N06是一款N沟道增强型60V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于各种电力电子转换装置中。它具有表面贴装(Surface Mount)形式,采用Tape and Reel包装方式,方便自动装配。这款MOSFET符合RoHS指令,并且是无卤素材料。它特别适用于需要快速开关的应用场合,如电源管理、逆变器、电机驱动等领域。

    技术参数


    - 电压参数
    - 最大栅源电压 (VGS):±10 V
    - 最大漏源电压 (VDS):60 V
    - 最大连续漏电流 (ID):50 A @ TC = 25 °C,36 A @ TC = 100 °C
    - 最大脉冲漏电流 (IDM):200 A
    - 最大结温 (TJ, Tstg):-55 °C 至 +175 °C
    - 电阻参数
    - 最大导通电阻 (RDS(on)):0.024 Ω @ VGS = 10 V,0.028 Ω @ VGS = 4.5 V
    - 动态参数
    - 最大单脉冲雪崩能量 (EAS):400 mJ
    - 最大结到外壳热阻 (RthJC):1.0 °C/W
    - 其他参数
    - 动态dv/dt额定值:4.5 V/ns
    - 逻辑电平栅极驱动
    - 快速开关特性

    产品特点和优势


    - 无卤素材料:符合IEC 61249-2-21标准,满足环保要求。
    - 表面贴装技术:便于自动化生产,提高制造效率。
    - 快速开关特性:适用于高频和高功率应用,提高系统效率。
    - 逻辑电平栅极驱动:简化电路设计,降低驱动难度。
    - 温度系数低:提高系统稳定性和可靠性。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:UTT20N06广泛应用于各类电源转换模块、逆变器、电机驱动控制器等。例如,在电池管理系统中作为开关器件,实现高效能量转换。
    - 使用建议:
    - 确保在最大额定电压和电流下正确安装和连接,避免过热。
    - 使用适当的散热措施,确保MOSFET在高温环境下的正常运行。
    - 注意信号线和电源线的布局,减少寄生电感的影响。

    兼容性和支持


    - 兼容性:UTT20N06与常见的印刷电路板(PCB)尺寸兼容,可以轻松集成到现有系统中。
    - 支持:VBsemi公司提供详尽的技术文档和售后服务,如有任何技术问题,可联系官方服务热线:400-655-8788。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何判断MOSFET是否已损坏?
    - 解决方案:测量栅极与源极之间的电阻,若电阻无穷大则表明内部二极管击穿或损坏。
    2. 问题:MOSFET工作时发热严重怎么办?
    - 解决方案:检查散热片是否接触良好,必要时增加散热面积或改善散热方式。
    3. 问题:MOSFET导通电阻异常增大?
    - 解决方案:检查是否有外部因素导致过压或过流,确保工作在安全范围内。

    总结和推荐


    UTT20N06是一款高性能、可靠的N沟道MOSFET,具备快速开关、逻辑电平驱动、环保无卤素材料等特点。其广泛应用于多种电力电子设备中,尤其适合对温度敏感和需要高可靠性的应用场合。强烈推荐使用,以满足不同应用场景的需求。

UTT20N06-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@10V,28mΩ@4.5V
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
Vds-漏源极击穿电压 60V
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 50A
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

UTT20N06-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UTT20N06-VB数据手册

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UTT20N06-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 1.6207
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型号 价格(含增值税)
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