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ELM14429AA-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-30V,-15A,RDS(ON),5mΩ@10V,8mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.7Vth(V) 封装:SOP8
供应商型号: ELM14429AA-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) ELM14429AA-VB

ELM14429AA-VB概述

    # P-Channel 30V MOSFET 技术手册

    产品简介


    本产品是一款 P-Channel 30V(D-S)MOSFET,采用先进的 TrenchFET® Gen IV 技术制造。其主要功能是作为电源开关,在电池管理和移动设备的适配器及充电器中有着广泛的应用。这款 MOSFET 能够提高功率密度,确保在高电流条件下依然能够稳定运行。

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDS): -30V
    - 栅源电压 (VGS): -20V 至 +20V
    - 连续漏极电流 (TJ = 150°C):
    - TC = 25°C 时: -18A
    - TC = 70°C 时: -13A
    - 脉冲漏极电流 (t = 100 μs): -145A
    - 连续源极-漏极二极管电流:
    - TC = 25°C 时: -5A
    - TA = 25°C 时: -2.8A
    - 单脉冲雪崩电流: -25A
    - 单脉冲雪崩能量: 31.2mJ
    - 最大功率耗散 (TC = 25°C): 5.6W
    - 工作结温和存储温度范围: -55°C 至 +150°C
    - 焊接建议 (峰值温度): 260°C
    热阻率
    - 最大结至环境热阻: 34°C/W (最大 40°C/W)
    - 最大结至外壳(漏极)热阻: 18°C/W (最大 22°C/W)
    静态规格
    - 漏源击穿电压 (VDS): -30V
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)): -1V 至 -2.2V
    - 栅源漏电流 (IGSS): 100nA
    - 零栅源电压漏电流 (IDSS): -1μA
    - 导通漏源电阻 (RDS(on)):
    - VGS = -10V, ID = -15A 时: 0.0050Ω
    - VGS = -4.5V, ID = -10A 时: 0.0080Ω
    动态规格
    - 输入电容 (Ciss): 3490pF
    - 输出电容 (Coss): 1420pF
    - 反向转移电容 (Crss): 70pF
    - 总栅电荷 (Qg):
    - VDS = -15V, VGS = -10V, ID = -10A 时: 56nC
    - VDS = -15V, VGS = -4.5V, ID = -10A 时: 27nC
    典型特性
    - 栅电荷 (Qg): 56nC (VDS = -15V, VGS = -10V, ID = -10A)
    - 转导能力 (gfs): 81S (VDS = -15V, ID = -15A)
    - 雪崩电压系数 (ΔVDS/TJ): -17mV/°C (ID = -10mA)

    产品特点和优势


    这款 P-Channel 30V MOSFET 的显著特点包括:
    - 高功率密度: 采用 TrenchFET® Gen IV 技术,能够在紧凑的空间内实现更高的功率处理能力。
    - 可靠性: 所有产品均经过 100% Rg 和 UIS 测试,确保在极端条件下的可靠性。
    - 多功能应用: 广泛应用于移动设备的电池管理、适配器和充电器的开关电路。
    - 优化设计: 通过严格的生产测试和设计保证,确保产品的长期稳定性和可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 移动设备电池管理: 在智能手机和平板电脑中,作为电池开关或负载开关,用于控制电池的充放电过程。
    - 适配器和充电器开关: 作为适配器和充电器的关键组件,提供高效的电源转换和保护功能。
    使用建议
    - 电路设计: 设计电路时应考虑 MOSFET 的散热需求,合理选择散热措施以避免过热。
    - 焊接工艺: 建议使用再流焊工艺进行焊接,避免手动焊接对无引脚封装的损伤。

    兼容性和支持


    兼容性
    - 与现有设备的兼容性: 该 MOSFET 适用于现有的适配器和充电器电路,无需额外修改即可集成。
    - 其他电子元器件的兼容性: 该产品可与其他常见的电子元器件兼容,确保整体电路的正常运行。
    厂商支持
    - 技术支持: 厂商提供全面的技术支持和售后服务,帮助客户解决使用过程中遇到的问题。
    - 维护信息: 厂商定期发布产品更新和技术文档,确保客户获得最新的技术支持和维护信息。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 焊接时出现虚焊:
    - 解决方案: 使用再流焊工艺,确保焊接质量。
    2. 电路过热:
    - 解决方案: 添加适当的散热片或风扇,加强散热措施。
    3. 电路电流不稳定:
    - 解决方案: 检查电路连接,确保所有连接点牢固且正确。

    总结和推荐


    综合评估
    这款 P-Channel 30V MOSFET 是一款高效、可靠的产品,适用于多种应用场景。它采用了先进的 TrenchFET® Gen IV 技术,能够提供出色的性能和稳定性。同时,厂商提供了详尽的技术支持和完善的售后服务,使得这款产品在市场上具有较高的竞争力。
    推荐
    我们强烈推荐这款 MOSFET 产品用于需要高效电源管理和高功率密度的场合。无论是手机和平板电脑的电池管理,还是适配器和充电器的开关电路,这款 MOSFET 都能提供卓越的表现。

ELM14429AA-VB参数

参数
FET类型 1个P沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.7V
Rds(On)-漏源导通电阻 5mΩ@10V,8mΩ@4.5V
配置 -
Id-连续漏极电流 15A
栅极电荷 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

ELM14429AA-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

ELM14429AA-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 ELM14429AA-VB ELM14429AA-VB数据手册

ELM14429AA-VB封装设计

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