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AFP2311S23RG-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 VBsemi的Single P系列产品是一种单路P沟道场效应晶体管(MOSFET),是一种灵活多用、性能稳定的电子元件,适用于各种不同的领域和模块。 VDS(漏极-源极电压)为-30V,VGS(栅极-源极电压)范围为±20V,阈值电压(Vth)为-1.7V。在VGS=4.5V时的导通电阻为54mΩ,在VGS=10V时为46mΩ,最大漏极电流(ID)为-5.6A(负数表示为P沟道器件),这些MOSFET采用Trench技术制造,封装形式为SOT23-3。
供应商型号: AFP2311S23RG-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) AFP2311S23RG-VB

AFP2311S23RG-VB概述

    AFP2311S23RG P-Channel 30V MOSFET 技术手册

    产品简介


    AFP2311S23RG 是一款由台湾VBsemi公司生产的P-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于移动计算、负载开关、笔记本适配器开关及DC/DC转换器等多种应用场景。其主要特点是采用了TrenchFET®工艺,确保了高可靠性和高性能表现。

    技术参数


    AFP2311S23RG 的关键技术参数如下:
    - 漏源电压(VDS): 最大值为 30V
    - 栅源电压(VGS): 最大值为 ±20V
    - 连续漏极电流(TJ=150°C):
    - TC = 25°C 时为 -5.6A
    - TC = 70°C 时为 -5.1A
    - 脉冲漏极电流(t=100µs): 最大值为 -18A
    - 最大功率耗散(TC=25°C): 2.5W
    - 最大结到环境热阻(RthJA): 最大值为 100°C/W
    - 最大结到引脚(漏极)热阻(稳态)(RthJF): 最大值为 50°C/W
    其他电气特性包括静态阈值电压(VGS(th))、反向传输电容(Crss)、总栅极电荷(Qg)等详细数据参见技术手册。

    产品特点和优势


    AFP2311S23RG 的主要优势包括:
    - 高效能:采用TrenchFET®工艺,提供更低的导通电阻(RDS(on))和更快的开关速度。
    - 高可靠性:所有样品均经过100% Rg测试,确保产品的稳定性和一致性。
    - 紧凑封装:SOT-23封装(TO-236),适用于空间受限的应用。

    应用案例和使用建议


    AFP2311S23RG 在以下应用中表现出色:
    - 移动计算:可用于笔记本电脑、平板电脑的电源管理,如负载开关、适配器开关等。
    - DC/DC转换器:高效的电力转换需要快速响应的开关器件,该MOSFET具备优秀的动态特性。
    使用建议:
    - 电路设计:选择合适的驱动电阻以优化开关性能,避免过高的栅极电荷导致功率损耗。
    - 散热管理:考虑到该MOSFET的热阻较高,需确保良好的散热设计,特别是在高功率应用中。

    兼容性和支持


    AFP2311S23RG 可与其他主流的电子元器件和设备兼容,具体参数参考技术手册。VBsemi公司提供了详尽的技术支持,包括样品申请、技术咨询和售后支持等服务。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 如何降低功耗?
    - 解决方案: 选择合适的驱动电阻和优化电路设计,减少开关损耗。
    - 问题2: 如何优化热管理?
    - 解决方案: 使用散热片或其他冷却装置,确保良好的热传导路径。

    总结和推荐


    AFP2311S23RG 在移动计算、负载开关等领域表现优异,尤其适合对空间要求严格的场合。其出色的开关特性和可靠性使其成为市场上同类产品中的佼佼者。推荐在上述应用中优先考虑使用该MOSFET。
    如有任何技术疑问,可联系VBsemi官方客服400-655-8788获取更多支持。

AFP2311S23RG-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 5.6A
配置 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个P沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 47mΩ@10V,56mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

AFP2311S23RG-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

AFP2311S23RG-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 AFP2311S23RG-VB AFP2311S23RG-VB数据手册

AFP2311S23RG-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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300+ ¥ 0.3234
500+ ¥ 0.3105
3000+ ¥ 0.2975
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