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NVB5426NT4G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,210A,RDS(ON),3.2mΩ@10V,12.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.9Vth(V) 封装:TO263
供应商型号: NVB5426NT4G-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NVB5426NT4G-VB

NVB5426NT4G-VB概述

    NVB5426NT4G 60V N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    NVB5426NT4G 是一款由 VBsemi 推出的60V N-通道沟槽式功率金属氧化物半导体场效应晶体管(TrenchFET® Power MOSFET)。这款 MOSFET 具有低热阻封装,适用于各种电源管理和驱动电路中。其独特的设计使其具有卓越的电气特性和可靠性,在消费电子、工业控制、汽车电子等领域有广泛应用。

    技术参数


    - 额定电压:VDS = 60V
    - 栅源电压:VGS = ±20V
    - 连续漏极电流:ID = 210A (TC = 25°C)
    - 最大脉冲漏极电流:IDM = 480A
    - 单脉冲雪崩电流:IAS = 75A
    - 单脉冲雪崩能量:EAS = 281mJ
    - 最大功耗:PD = 375W (TC = 25°C)
    - 工作温度范围:-55°C 至 +175°C
    - 热阻:
    - 结至环境(PCB安装):RthJA = 40°C/W
    - 结至外壳(漏极):RthJC = 0.4°C/W

    产品特点和优势


    1. 无卤素材料:符合 IEC 61249-2-21 标准。
    2. 低热阻封装:有效降低功耗,提升散热性能。
    3. 栅源电阻测试:所有样品均经过 100% Rg 和 UIS 测试。
    4. RoHS 合规性:符合 2002/95/EC 指令。
    这些特性使得 NVB5426NT4G 在众多应用场景中表现出色,尤其在需要高可靠性和低功耗的场合中,如开关电源、电机驱动等。

    应用案例和使用建议


    - 开关电源:NVB5426NT4G 可用于提高开关电源的效率,尤其是在需要快速响应和低损耗的场合。
    - 电机驱动:适用于驱动各类电机,如风扇、泵等,提供稳定可靠的驱动能力。
    - 电源管理:用于电源管理单元(PMU),能够实现高效且可靠的电力分配。
    使用建议:
    - 在高功率应用场景中,应确保良好的散热措施以维持器件性能。
    - 由于 NVB5426NT4G 的耐压较高,可以考虑并联多个器件以提高系统整体的耐压能力。

    兼容性和支持


    NVB5426NT4G 采用 D2PAK (TO-263) 封装,适合大多数标准 PCB 设计。厂商提供了详细的安装指南和热阻信息,以帮助用户优化系统设计。
    兼容性:与其他主流 PCB 封装兼容,可广泛应用于现有系统中。
    支持:VBsemi 提供全方位的技术支持,包括安装指导、故障排除等。

    常见问题与解决方案


    1. 高温运行时如何保证可靠性?
    - 确保良好的散热措施,例如使用大面积散热片或散热板。
    2. 如何进行栅源电压保护?
    - 使用适当的栅源电阻,避免电压过高损坏 MOSFET。
    3. 脉冲电流对器件有何影响?
    - 使用合适的散热措施和限流电路,确保器件不会因过大的瞬态电流而损坏。

    总结和推荐


    NVB5426NT4G 以其出色的电气性能、可靠性以及广泛的应用范围,成为众多电源管理和驱动应用的理想选择。其无卤素材料和 RoHS 合规性使其在环保方面也具备显著优势。强烈推荐给需要高可靠性和高性能的用户。
    希望以上内容能够满足您的需求,如果有任何其他要求,请随时告知。

NVB5426NT4G-VB参数

参数
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 3.2mΩ@10V,12.5mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 60V
Id-连续漏极电流 210A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.9V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NVB5426NT4G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NVB5426NT4G-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NVB5426NT4G-VB NVB5426NT4G-VB数据手册

NVB5426NT4G-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 5.8305
100+ ¥ 5.3986
500+ ¥ 5.1826
800+ ¥ 4.9667
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型号 价格(含增值税)
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