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NDP6030L-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单通道N沟道场效应晶体管(Single N),采用Trench工艺制造。它的主要参数包括:最大漏极-源极电压(VDS)为30V,最大栅极-源极电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为1.7V,以及在不同栅极-源极电压下的导通电阻等。该器件采用TO220封装,适用于各种应用场合。
供应商型号: NDP6030L-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NDP6030L-VB

NDP6030L-VB概述

    NDP6030L N-Channel 30 V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    NDP6030L 是一款由 VBsemi 生产的 N-Channel 30 V (D-S) MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该产品采用先进的 TrenchFET® 技术制造,能够在较小的封装内提供较高的功率处理能力。NDP6030L 主要应用于电源管理、电机驱动、LED 照明系统及汽车电子等领域。

    技术参数


    - 电压等级: VDS(漏源击穿电压)为 30V。
    - 电阻: RDS(on)(导通电阻)随门极电压变化而变化,具体如下:
    - 在 VGS = 10V 时,RDS(on) 为 0.007Ω。
    - 在 VGS = 4.5V 时,RDS(on) 为 0.010Ω。
    - 电流: 持续漏极电流 ID 为 70A,脉冲漏极电流 IDM 为 250A。
    - 工作温度范围: 绝对最大额定值下,工作结温和存储温度范围为 -55°C 至 +175°C。
    - 热阻抗: 结至环境热阻 RthJA 为 50°C/W,结至壳体热阻 RthJC 为 2.1°C/W。

    产品特点和优势


    1. 高效能: 采用 TrenchFET® 技术,实现了更低的导通电阻和更高的电流处理能力。
    2. 低热阻: 包装设计提供了较低的热阻抗,适合在高温环境下运行。
    3. 可靠性高: 所有产品都经过严格的 Rg 和 UIS 测试,确保质量和可靠性。

    应用案例和使用建议


    NDP6030L 适用于多种电力转换应用,例如直流到直流转换器、电池充电器、电机控制等。为了充分发挥其性能,建议在使用过程中注意以下几点:
    - 散热设计: 由于 MOSFET 在高电流工作时会产生大量热量,建议采用有效的散热措施,如使用散热片和风扇。
    - 保护电路: 为了防止过流和过压损坏,建议添加适当的保护电路,例如保险丝和瞬态电压抑制二极管。

    兼容性和支持


    NDP6030L 与市面上主流的 PCB 设计兼容,可在标准的 TO-220AB 封装上直接安装。厂商提供详细的技术支持文档和客户服务中心,以解答客户在使用过程中的疑问。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 使用时发现 MOSFET 过热。
    - 解决方案: 确保 PCB 上有足够的散热孔,并考虑使用散热片和冷却风扇。
    2. 问题: 开关频率过高导致器件失效。
    - 解决方案: 调整开关频率,使其不超过器件的最大额定值,并确保外部电路能够承受高频操作产生的损耗。

    总结和推荐


    总体来看,NDP6030L 是一款高性能的 N-Channel MOSFET,具有出色的导电性能和热稳定性。它非常适合需要高效能量转换的应用场景。对于要求高可靠性的电力管理和控制系统,NDP6030L 是一个非常值得推荐的选择。建议在购买和使用前详细阅读技术手册,并遵循厂家的指导,以确保最佳的使用效果。

NDP6030L-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
Vds-漏源极击穿电压 30V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 70A
栅极电荷 -
通道数量 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@10V,10mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

NDP6030L-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NDP6030L-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NDP6030L-VB NDP6030L-VB数据手册

NDP6030L-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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