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IRFP26N60LPBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: TO247;N—Channel沟道,650V;20A;RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=3.5V;
供应商型号: 14M-IRFP26N60LPBF-VB TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFP26N60LPBF-VB

IRFP26N60LPBF-VB概述

    IRFP26N60LPBF-VB N-Channel 650 V (D-S) Super Junction MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    IRFP26N60LPBF-VB 是一款 N-Channel 650 V(漏源电压)超级结 MOSFET,专为高功率和高频应用设计。它适用于多种场景,如电信电源、照明系统(高亮度放电灯和荧光灯)、消费电子、工业设备(如焊接和电池充电器),以及可再生能源系统(如太阳能光伏逆变器)。该产品采用 TO-247AC 封装,具有极低的反向恢复时间 (trr) 和输入电容 (Ciss),从而降低了开关损耗和热耗散。

    2. 技术参数


    - 漏源电压 (VDS):最大 650 V
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)):在 25°C 时为 0.19 Ω
    - 总栅极电荷 (Qg):最大值为 106 nC
    - 栅源电荷 (Qgs):14 nC
    - 栅漏电荷 (Qgd):33 nC
    - 连续漏极电流 (TJ = 150°C):TC = 25°C 时为 2 A;TC = 100°C 时为 13 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM):53 A
    - 单次脉冲雪崩能量 (EAS):367 mJ
    - 最大功耗 (PD):208 W
    - 工作结温和存储温度范围 (TJ, Tstg):-55 至 +150°C
    - 热阻 (RthJA):62 °C/W

    3. 产品特点和优势


    IRFP26N60LPBF-VB 具有以下几个显著优势:
    - 低反向恢复时间 (trr) 和 低反向恢复电荷 (Qrr),降低了开关损耗。
    - 低栅极电荷 (Qg),减少了驱动电路的功耗。
    - 低输入电容 (Ciss),进一步降低了开关损耗。
    - 高可靠性,适用于高功率和高频应用。
    - 超低栅极电荷,提高了开关速度。
    - 雪崩耐受能力,确保了在极端条件下的稳定运行。

    4. 应用案例和使用建议


    - 电信电源:由于其低开关损耗和高效率,适用于服务器和电信设备的电源转换。
    - 照明系统:特别适合用于高亮度放电灯和荧光灯的驱动。
    - 消费电子和计算设备:适用于 ATX 电源供应,满足高能效标准。
    - 工业设备:如焊接机和电池充电器,提供高可靠性和稳定性。
    - 可再生能源:作为太阳能光伏逆变器的组件,提高能源转换效率。
    - 开关模式电源 (SMPS):利用其低栅极电荷和高耐压特性,提高系统整体性能。
    使用建议:
    - 在设计电路时,应考虑其热阻 (RthJA) 和最大功耗 (PD),确保适当的散热措施。
    - 使用低漏感布局,以减少噪声和干扰。
    - 在高速开关应用中,应选择合适的驱动器,以充分利用其低栅极电荷特性。

    5. 兼容性和支持


    - IRFP26N60LPBF-VB 可与大多数现有的开关电源系统兼容。
    - 厂商提供了详细的技术支持,包括产品手册、应用指南和技术支持热线(400-655-8788),确保用户能够获得及时帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:如何正确计算栅极电荷?
    - 解决方案:根据图 7 中的典型栅极电荷曲线,结合具体的应用条件进行计算。使用合适的驱动器来降低栅极电荷的影响。
    - 问题2:在高频率应用中,如何减少开关损耗?
    - 解决方案:优化电路布局,使用低漏感和低噪声的元件,同时选择合适的驱动器来降低开关损耗。
    - 问题3:如何处理过温保护?
    - 解决方案:确保系统的热设计符合产品手册中的要求,适当增加散热片或其他散热措施。

    7. 总结和推荐


    IRFP26N60LPBF-VB 是一款高性能的 N-Channel 650 V 超级结 MOSFET,具备优秀的开关特性和高可靠性。其低开关损耗、高耐压能力和低热耗散使其成为许多高功率应用的理想选择。我们强烈推荐此产品,尤其是在需要高效率和高可靠性的场合。

IRFP26N60LPBF-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
栅极电荷 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 650V
Id-连续漏极电流 20A
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IRFP26N60LPBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFP26N60LPBF-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFP26N60LPBF-VB IRFP26N60LPBF-VB数据手册

IRFP26N60LPBF-VB封装设计

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