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FQP7N20-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,200V,10A,RDS(ON),270mΩ@10V,310mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.9Vth(V) 封装:TO220适用于各种低功耗和中功率应用。其适中的漏极-源极电压、低阈值电压和适度的导通电阻使其在多种场合下都具备良好的性能。
供应商型号: 14M-FQP7N20-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FQP7N20-VB

FQP7N20-VB概述

    FQP7N20-VB N-Channel 200 V MOSFET 技术手册

    产品简介


    FQP7N20-VB 是一款高可靠性、高性能的 N-通道 MOSFET,主要应用于电源管理、驱动电路和高频开关等领域。它具有卓越的热稳定性和极低的导通电阻(RDS(on)),能够有效提高系统的能效和稳定性。

    技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | 200 | V |
    | 栅阈值电压 | 2 至 4 | V |
    | 零栅电压漏极电流 | 1 | mA |
    | 导通电阻 (VGS = 10V) | 0.270 | Ω |
    | 导通电阻 (VGS = 10V, TJ = 175°C) | 0.410 | Ω |
    | 最大工作温度 | 175 | °C |
    | 绝对最大额定值
    | 漏源电压 | 200 | V |
    | 栅源电压 | ±20 | V |
    | 连续漏极电流 | 12 | A |
    | 脉冲漏极电流 | 18 | mJ |
    | 最大功率耗散 | 121 | W |
    | 热阻抗(结到环境) | 18 | °C/W |

    产品特点和优势


    1. 宽工作温度范围:能够在高达175°C的结温下正常工作,适用于高温环境。
    2. 低导通电阻:在典型条件下(VGS = 10V),导通电阻仅为0.270Ω,能够显著降低功耗。
    3. PWM优化:特别优化用于脉宽调制(PWM)应用,适合于高频开关场景。
    4. 100% Rg测试:每个产品都进行了Rg测试,确保产品质量和一致性。
    5. 符合RoHS指令:满足环保要求,适用于各类应用。

    应用案例和使用建议


    FQP7N20-VB 主要应用于电源转换器、马达驱动和逆变器等场合。例如,在一个DC-DC转换器中,可以作为初级侧开关来控制输出电压。为了优化性能,建议如下:
    - 在高频应用中,尽量减少引线长度以减小寄生电感。
    - 使用散热片以增加散热面积,尤其是在高电流情况下。
    - 根据实际应用选择合适的PCB布局,以最大限度减少杂散电感。

    兼容性和支持


    FQP7N20-VB 采用TO-220AB封装,可直接焊接在标准1英寸×1英寸FR4板材上,易于集成到现有系统中。VBsemi提供详尽的技术文档和支持,包括设计指南和样品请求,以帮助客户快速上手并解决任何潜在问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:MOSFET在高温环境下无法正常工作。
    - 解决方案:检查是否超过了最大结温限制,必要时使用散热片增强散热。

    2. 问题:MOSFET在高电流下过热。
    - 解决方案:增加散热措施,如使用散热器或者优化电路布局以减小热阻。

    总结和推荐


    FQP7N20-VB 是一款高性能、高可靠性的N-通道MOSFET,非常适合于高电流、高温的应用场合。其卓越的性能、宽泛的工作温度范围和优化的设计使其在市场上具备强大的竞争力。强烈推荐给需要高效能开关电源和电机驱动解决方案的工程师和设计师们。
    如果您有任何疑问或需要进一步的支持,请随时联系VBsemi的服务热线:400-655-8788。

FQP7N20-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.9V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 270mΩ@10V,310mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 200V
Id-连续漏极电流 10A
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

FQP7N20-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FQP7N20-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FQP7N20-VB FQP7N20-VB数据手册

FQP7N20-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 3.6594
10+ ¥ 3.4442
30+ ¥ 3.0739
100+ ¥ 2.3033
1000+ ¥ 2.2172
3000+ ¥ 2.1526
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