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UTT30N10G-TA3-T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,100V,70A,RDS(ON),17mΩ@10V,20Vgs(±V);3.7Vth(V) 封装:TO220适用于需要高功率、高效能量转换和可靠性能的领域和模块,如电源模块、电动工具、汽车电子和工业自动化等。
供应商型号: UTT30N10G-TA3-T-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UTT30N10G-TA3-T-VB

UTT30N10G-TA3-T-VB概述

    N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 是一种高性能的电子元器件,适用于各种电源转换和控制应用。该产品采用了先进的TrenchFET®技术,能够实现低导通电阻和高温度耐受性,使其在多种应用场景中表现出色。
    主要功能:
    - 低导通电阻:能够在特定条件下实现低至0.017Ω的导通电阻。
    - 高耐温性能:能够在高达175℃的环境下稳定工作。
    - 热阻低:具有极低的热阻,便于散热管理。
    应用领域:
    - 隔离式DC/DC转换器
    - 电源管理和控制
    - 工业自动化
    - 电动汽车

    2. 技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 最大漏源电压 | 100 | V |
    | 最大栅源电压 | ±20 | V |
    | 持续漏电流(TJ=175℃) | 70 | A |
    | 脉冲漏电流 | 145 | A |
    | 单脉冲雪崩电流 | 31 | A |
    | 雪崩能量 | 60 | mJ |
    | 最大功率耗散 | 355 | W |
    | 工作结温和存储温度范围 | -55至175 | ℃ |
    | 结到环境热阻(PCB安装) | 40 | ℃/W |

    3. 产品特点和优势


    N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 的显著特点是其低导通电阻和高耐温性能,能够适应极端的工作环境。此外,它具备高可靠性,适合于长期连续运行。特别是其0.017Ω的导通电阻,在高温下的表现依然优异,这使其成为隔离式DC/DC转换器和其他高效率电源管理应用的理想选择。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 隔离式DC/DC转换器:该产品可以用于电源管理系统的隔离环节,确保系统稳定运行。
    - 工业自动化:在各种自动化设备中,用于电机控制和电源转换。
    使用建议:
    - 电路设计:建议采用较大的散热片以降低器件温度,提高使用寿命。
    - 测试验证:对于关键应用,建议进行详细测试验证其在实际工作条件下的表现。

    5. 兼容性和支持


    兼容性:
    - 该产品与现有的大多数电路板设计兼容,可轻松集成到现有系统中。
    - 支持多种电源和信号接口标准。
    支持和服务:
    - 供应商提供全面的技术支持和售后服务,包括产品文档、应用指南和技术咨询。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 散热问题 | 增加散热片,优化散热设计 |
    | 高温稳定性问题 | 确保在规定的工作温度范围内使用 |
    | 寿命问题 | 定期进行维护检查,避免长时间过载 |

    7. 总结和推荐



    总结

    :
    - 优点:该产品具备低导通电阻、高耐温性能和高可靠性,适合于多种高要求的应用场合。
    - 缺点:部分参数如最大功率耗散在极端条件下的表现需要进一步验证。
    推荐:
    - 强烈推荐在高效率电源管理和控制系统中使用该产品,尤其是在需要高性能和高可靠性的应用场景中。

UTT30N10G-TA3-T-VB参数

参数
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 17mΩ@ 10V
Id-连续漏极电流 70A
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.7V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

UTT30N10G-TA3-T-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UTT30N10G-TA3-T-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UTT30N10G-TA3-T-VB UTT30N10G-TA3-T-VB数据手册

UTT30N10G-TA3-T-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
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型号 价格(含增值税)
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