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IRLR8729TR-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,30V,60A,RDS(ON),10mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: IRLR8729TR-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRLR8729TR-VB

IRLR8729TR-VB概述

    # N-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    本手册介绍的是N-Channel 30-V (D-S) MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),型号为IRLR8729TR。这款产品采用了先进的TrenchFET® Power MOSFET技术,适用于多种工业应用场景,包括电源管理、服务器系统和直流/直流转换器。
    主要功能
    - 高效率:通过低导通电阻(RDS(on))实现。
    - 高可靠性:100% Rg和UIS测试合格。
    - 环保:符合RoHS Directive 2011/65/EU标准。
    应用领域
    - OR-ing电路
    - 服务器系统
    - 直流/直流转换器

    技术参数


    以下是产品的主要技术参数,供参考:
    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源电压(VDS) 30 V |
    | 持续漏极电流(ID) | 25.8 | 25.8 | 60 | A |
    | 脉冲漏极电流(IDM) | 250 A |
    | 最大功耗(PD) | 205 W |
    | 静态阈值电压(VGS(th)) | 1.0 | 2.5 V |
    | 漏源导通电阻(RDS(on)) 0.005 Ω |
    | 门源电荷(Qg) | 61 | 107 nC |
    | 热阻抗(RthJA) | 32 | 40 °C/W |

    产品特点和优势


    独特功能
    - 高可靠性:采用100% Rg和UIS测试确保产品质量。
    - 环保设计:符合RoHS Directive 2011/65/EU标准。
    - 卓越性能:通过低导通电阻实现高效能输出。
    市场竞争力
    - 高性能:提供低导通电阻和高可靠性,适用于严苛的工作环境。
    - 广泛兼容:与多种服务器和电力管理系统兼容,适用于多种应用场景。
    - 易于集成:紧凑的设计使其便于安装和维护。

    应用案例和使用建议


    实际使用场景
    IRLR8729TR MOSFET常用于数据中心服务器中的电源管理单元。它能有效控制电源的开关,减少能耗并提高系统的整体效率。此外,在通信基站和储能系统中也有广泛应用。
    使用建议
    - 在设计电路时,应注意漏源电压(VDS)不超过30V,以避免损坏设备。
    - 为了延长使用寿命,建议在高温环境下使用适当的散热措施。
    - 在使用过程中,注意定期检查和维护,确保其长期稳定运行。

    兼容性和支持


    兼容性
    IRLR8729TR MOSFET与多种常见的服务器和电力管理系统兼容,可用于多种应用场景,如OR-ing电路、服务器系统和直流/直流转换器。
    厂商支持
    台湾VBsemi Electronics Co., Ltd. 提供全面的技术支持和服务,包括技术咨询、维修和售后服务。如果您有任何疑问或需要帮助,请联系我们的技术支持团队。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 漏源电压过高导致设备损坏
    2. 持续漏极电流不稳定
    3. 长时间使用后的热稳定性下降
    解决方案
    1. 严格遵守漏源电压的额定值,不要超过30V。
    2. 检查电流稳定性,确保供电系统正常工作。
    3. 使用适当的散热措施,例如加装散热片或风扇,确保设备的热稳定性。

    总结和推荐


    综合评估
    IRLR8729TR MOSFET凭借其低导通电阻、高可靠性和环保特性,是一款在电源管理和服务器系统中表现出色的产品。其广泛的应用场景和易于集成的特点使其在市场上具有较高的竞争力。
    推荐使用
    我们强烈推荐IRLR8729TR MOSFET用于各种需要高效电源管理和可靠性的应用场景。其卓越的性能和广泛的适用性将为您的项目带来显著的优势。

IRLR8729TR-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 60A
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 10mΩ@10V,11mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
通道数量 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRLR8729TR-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRLR8729TR-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRLR8729TR-VB IRLR8729TR-VB数据手册

IRLR8729TR-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
25+ ¥ 1.2251
100+ ¥ 1.1344
500+ ¥ 1.089
2500+ ¥ 1.0436
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起订量: 25 增量: 2500
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