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UK3018G-AE2-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,0.3A,RDS(ON),2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:SOT23-3 适用于低功率电路应用。其特点是低漏极电流和低功耗,适合要求电路功耗低、稳定性高的场合。采用Trench技术,具有较高的栅极-源极电阻,适合用于低功率应用。
供应商型号: UK3018G-AE2-R-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UK3018G-AE2-R-VB

UK3018G-AE2-R-VB概述


    产品简介


    本产品是一款N沟道60V(漏极-源极)MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于各类电子系统中。其主要功能包括驱动继电器、电磁铁、灯泡、锤子、显示器、存储器以及各种电路中的晶体管等。特别适用于电池供电系统和固态继电器。MOSFET具备高可靠性、低功耗等特点,是实现高效能控制的理想选择。

    技术参数


    - 漏极-源极电压 (VDS): 60V
    - 栅极-源极电压 (VGS): ±20V
    - 连续漏极电流 (TJ = 150°C): 250mA (TA = 25°C), 150mA (TA = 100°C)
    - 脉冲漏极电流: 800mA
    - 最大功率损耗 (TA = 25°C): 0.30W
    - 结至环境的最大热阻 (RthJA): 350°C/W
    - 工作结温及储存温度范围: -55°C 至 150°C

    产品特点和优势


    - 低阈值电压: 2V (典型值),使得器件易于驱动,无需缓冲器。
    - 低输入电容: 25pF,保证了高速操作能力。
    - 快速开关速度: 25ns,适合于高频率应用。
    - 低输入和输出泄漏,减少了不必要的功耗。
    - 符合环保要求,无卤素且符合RoHS标准。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 逻辑电平接口: 可以直接连接TTL/CMOS逻辑电路,简化设计。
    2. 继电器驱动: 在控制系统中驱动各种类型的继电器,如电磁铁、灯泡等。
    3. 电池供电系统: 在便携式设备中使用,减少能耗。
    使用建议
    - 注意散热: 由于器件有较高的热阻,建议采用适当的散热措施,以避免过热。
    - 使用低功耗模式: 在可能的情况下,使用器件的低功耗模式来降低功耗。

    兼容性和支持


    该MOSFET适用于多种不同的电路设计,具有良好的通用性。制造商提供详尽的技术支持,包括使用手册、设计指南等资料,以帮助用户更好地理解和使用产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 器件发热严重
    - 解决办法: 添加散热片或采用散热底座,确保器件能够有效散热。
    2. 问题: 漏电流过大
    - 解决办法: 检查电路连接,确保所有接点接触良好,避免由于接触不良导致漏电流增加。

    总结和推荐


    总体而言,这款N沟道60V MOSFET以其低阈值电压、低输入电容和快速开关速度,在众多应用场景中表现出色。它在电池供电系统和逻辑电平接口方面的表现尤为突出。尽管在极端条件下可能需要额外的散热措施,但考虑到其优异的性能和可靠性,仍然非常值得推荐使用。

UK3018G-AE2-R-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
配置 -
Id-连续漏极电流 300mA
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UK3018G-AE2-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UK3018G-AE2-R-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UK3018G-AE2-R-VB UK3018G-AE2-R-VB数据手册

UK3018G-AE2-R-VB封装设计

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