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2SK2742-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,3.1A,RDS(ON),126mΩ@10V,139mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:SOT89-3
供应商型号: 2SK2742-VB SOT89-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SK2742-VB

2SK2742-VB概述


    产品简介


    N-Channel 100V MOSFET(型号:2SK2742)是一种高效的TrenchFET®功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这种类型的晶体管广泛应用于多种电力转换和控制场合,例如直流到直流转换器、升压转换器、LCD电视背光系统以及移动计算设备的电源管理。

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 100V
    - 栅源电压 \( V{GS} \): ±20V
    - 持续漏极电流 \( ID \):
    - \( TC = 25^\circ C \): 4.2A
    - \( TA = 25^\circ C \): 3.2A
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 15A (脉冲宽度 ≤ 300μs)
    - 持续栅极-源极泄露电流 \( I{GSS} \): 100nA
    - 最大耗散功率 \( PD \):
    - \( TC = 25^\circ C \): 2.5W
    - \( TA = 25^\circ C \): 1.25W
    - 最大结壳热阻 \( R{thJA} \): 75°C/W
    静态参数
    - 漏源击穿电压 \( V{DS} \): 100V
    - 栅源阈值电压 \( V{GS(th)} \): 1.2~3V
    - 漏极电流 \( I{D(on)} \): 5A ( \( V{GS} = 10V \), \( V{DS} \geq 5V \))
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \):
    - \( V{GS} = 10V \): 0.1Ω
    - \( V{GS} = 6V \): 0.120Ω
    - \( V{GS} = 4.5V \): 0.125Ω
    动态参数
    - 输入电容 \( C{iss} \): 196pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): 67pF
    - 反向转移电容 \( C{rss} \): 14pF
    - 总栅极电荷 \( Qg \):
    - \( V{DS} = 50V \): 5.2~10.4nC
    - \( V{DS} = 25V \): 2.9~5.8nC

    产品特点和优势


    N-Channel 100V MOSFET(型号:2SK2742)具有以下独特功能和优势:
    - 高可靠性: 100%经过Rg和UIS测试,确保产品在极端条件下的稳定性和耐用性。
    - 高效性能: 极低的导通电阻\( R{DS(on)} \),能够在不同电压和电流条件下提供高效的电能转换。
    - 广泛适用性: 适用于各种电力转换应用,包括DC/DC转换器、升压转换器、LCD电视背光系统和移动计算设备的电源管理。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 直流到直流转换器和升压转换器: 利用其低导通电阻,提高系统的能量转换效率。
    - LCD电视背光系统: 在保持高效的同时,提供足够的驱动电流。
    - 移动计算设备的电源管理: 减少能耗并延长电池寿命。
    使用建议
    - 散热设计: 在高电流和高温环境下,应确保适当的散热措施以避免过热。
    - 电路布局: 注意良好的栅极和源极引线布局,以减少寄生电感和电容,提高开关速度和效率。

    兼容性和支持


    N-Channel 100V MOSFET(型号:2SK2742)与多种常见的PCB布局和标准电源管理系统兼容。制造商提供了详尽的技术支持,包括详细的安装指南和故障排除手册。

    常见问题与解决方案


    1. 过热问题
    - 解决方法: 确保使用适当的散热器或加强散热措施,避免长时间在高负载下运行。

    2. 开关频率问题
    - 解决方法: 检查驱动信号的质量和负载匹配情况,调整驱动电阻以优化开关速度。
    3. 导通电阻过高
    - 解决方法: 确认正确的栅极驱动电压和电流设置,必要时更换更高规格的器件。

    总结和推荐


    N-Channel 100V MOSFET(型号:2SK2742)是一款高效、可靠的电力转换解决方案。它在多个关键参数上表现出色,特别适合需要高性能和可靠性的电力转换应用。强烈推荐用于任何需要高效电力转换的应用场合。

2SK2742-VB参数

参数
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.7V
配置 -
Id-连续漏极电流 3.1A
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 126mΩ@10V,139mΩ@4.5V
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

2SK2742-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SK2742-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SK2742-VB 2SK2742-VB数据手册

2SK2742-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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