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IRF7831TR-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,30V,18A,RDS(ON),5mΩ@10V,6.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.72Vth(V) 封装:SOP8
供应商型号: IRF7831TR-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF7831TR-VB

IRF7831TR-VB概述

    # IRF7831TR N-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    产品类型与功能
    IRF7831TR 是一款 N-沟道 30V (D-S) 功率 MOSFET,采用先进的 TrenchFET® 技术。该产品专为高侧同步整流操作而优化,适用于笔记本CPU核心中的高侧开关应用。
    主要功能
    - 低导通电阻(RDS(on)):0.004Ω(VGS=10V),0.005Ω(VGS=4.5V)
    - 高电流能力:连续漏极电流(ID)最高可达18A(TC=25°C)
    - 优异的热阻抗:最大结至环境的热阻抗为38°C/W
    - 高可靠性测试:100% Rg 和 100% UIS 测试通过
    应用领域
    - 笔记本电脑 CPU 核心电源管理
    - 其他高效率开关应用

    技术参数


    基本参数
    | 参数 | 规格值 |

    | 漏源电压 (VDS) | 30V |
    | 栅源电压 (VGS) | ±20V |
    | 连续漏极电流 (ID) | 18A(TC=25°C)|
    静态特性
    | 参数 | 规格值 |

    | 击穿电压 (VDS) | 30V |
    | 门限电压 (VGS(th)) | 1.0V~3.0V |
    动态特性
    | 参数 | 规格值 |

    | 输入电容 (Ciss) | 820pF |
    | 输出电容 (Coss) | 195pF |
    | 反向传输电容 (Crss)| 73pF |
    热特性
    | 参数 | 规格值 |

    | 结到环境热阻抗 (RthJA)| 38°C/W |
    | 结到脚热阻抗 (RthJF)| 22°C/W |

    产品特点和优势


    - 优化设计:专为高侧同步整流操作设计,确保在高效率开关应用中的优异表现。
    - 高可靠性:通过100% Rg 和 100% UIS 测试,确保产品的可靠性和耐用性。
    - 低功耗:低导通电阻(RDS(on))有效降低功耗,提高能效。
    - 广泛适用性:适用于笔记本电脑CPU核心电源管理和各种高效率开关应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    IRF7831TR 在笔记本电脑 CPU 核心中作为高侧开关,可以实现高效、低损耗的电源管理。通过优化设计,它能够有效减少热损耗并提升整体系统效率。
    使用建议
    - 散热管理:尽管具有较高的耐热性,但在大电流应用中仍需良好的散热措施以保证长时间稳定运行。
    - 驱动电路:建议使用专门的栅极驱动器,以确保快速的开关速度和可靠的性能。

    兼容性和支持


    IRF7831TR 采用标准的SO-8封装,可直接焊接在印刷电路板上,与大多数通用的电路板兼容。台湾VBsemi公司提供全面的技术支持和售后服务,确保客户在使用过程中得到及时的帮助。

    常见问题与解决方案


    问题一:如何确定最佳工作温度?
    解决方案:查阅技术手册中的“绝对最大额定值”部分,确保工作温度在-55°C 至 150°C 的范围内。
    问题二:如何测量导通电阻?
    解决方案:使用专用的仪器如晶体管特性曲线图仪进行测量。也可以参考技术手册中的典型特性图来估算。

    总结和推荐


    综合评估
    IRF7831TR 以其卓越的性能、低导通电阻和高可靠性,成为笔记本CPU核心电源管理及高效率开关应用的理想选择。其广泛的温度适应能力和良好的热管理特性,使其能够在多种严苛环境下稳定工作。
    推荐
    强烈推荐在需要高效率电源管理和低损耗开关应用中使用 IRF7831TR。该产品的优异性能和高可靠性将为用户带来显著的性能提升和成本效益。

IRF7831TR-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.72V
Rds(On)-漏源导通电阻 5mΩ@10V,6.5mΩ@4.5V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
配置 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 18A
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

IRF7831TR-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF7831TR-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRF7831TR-VB IRF7831TR-VB数据手册

IRF7831TR-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.6525
100+ ¥ 1.5301
500+ ¥ 1.4688
4000+ ¥ 1.4077
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起订量: 20 增量: 4000
交货地:
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型号 价格(含增值税)
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