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NCE55P15K-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-60V,-22A,RDS(ON),48mΩ@10V,57mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.5Vth(V) 封装:TO-252
供应商型号: NCE55P15K-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NCE55P15K-VB

NCE55P15K-VB概述

    P-Channel 60V MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    NCE55P15K 是一款由VBsemi公司生产的P沟道60V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高压应用场合。它具备低导通电阻(RDS(on))的特点,能够提供高效且可靠的电流控制。该器件特别适用于高侧开关、全桥转换器以及LCD显示器的DC/DC转换器。

    2. 技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDS): -60V
    - 门源电压 (VGS): ±20V
    - 持续漏极电流 (TJ = 150°C): 26A (TC = 25°C), 10A (TC = 125°C)
    - 单脉冲雪崩电流 (L = 0.1 mH): 22A
    - 单脉冲重复雪崩能量: 24.2mJ
    - 功率耗散: 38.5W (TC = 25°C), 2.3W (TA = 25°C)
    - 工作结温和存储温度范围: -55°C 至 150°C
    - 静态特性
    - 漏源击穿电压 (VDS): -60V
    - 门阈值电压 (VGS(th)): -1至-3V
    - 门体泄漏电流 (IGSS): ±100nA
    - 零门电压漏极电流 (IDSS): -1A
    - 导通漏极电流 (ID(on)): -1A
    - 导通状态漏源电阻 (RDS(on)):
    - -10V时: 0.046Ω (ID=-10A, TC=25°C), 0.058Ω (ID=-10A, TC=125°C)
    - -4.5V时: 0.095Ω (ID=-5A, TC=25°C)
    - 动态特性
    - 输入电容 (Ciss): 130pF
    - 输出电容 (Coss): 90pF
    - 总栅极电荷 (Qg): 26nC
    - 栅极电阻 (Rg): 7Ω
    - 开启延时时间 (td(on)): 8ns
    - 上升时间 (tr): 9ns
    - 关闭延时时间 (td(off)): 65ns
    - 下降时间 (tf): 30ns

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:该MOSFET具有极低的导通电阻,特别是在较高温度下的性能非常稳定,适合需要高效能量传输的应用。
    - 高可靠性:通过了100%的UIS测试,确保器件在极端条件下依然可靠。
    - 环保设计:符合RoHS标准和无卤素规定,符合国际环保要求。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用场景:NCE55P15K广泛应用于高侧开关、全桥转换器以及LCD显示器的DC/DC转换器。例如,在车载充电器中作为高侧开关来控制电池充电过程中的电流。
    - 使用建议:为了优化性能,建议使用时遵循数据手册中的条件限制,如门极电压和工作温度。同时注意散热设计,避免过热损坏器件。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该MOSFET具有良好的通用性,可与其他标准封装兼容的器件一起使用。此外,VBsemi公司提供了详尽的技术支持文档和专业的客户支持服务,帮助用户更好地理解和使用产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q1: 产品在高温下是否会出现不稳定现象?
    - A1: 在规定的温度范围内(-55°C 至 150°C),NCE55P15K表现出稳定的性能。但超出此范围可能会影响其稳定性。
    - Q2: 如何判断器件是否损坏?
    - A2: 通过测量漏源电压(VDS)和漏极电流(ID)来检测器件的工作状态。若发现异常则可能是器件已损坏。

    7. 总结和推荐


    综上所述,NCE55P15K是一款具备高性能和高可靠性的P沟道MOSFET,适用于多种高压应用场合。其低导通电阻、高可靠性及环保设计使其在市场上具有很强的竞争力。我们强烈推荐在需要高压应用的电路中使用该产品,并建议仔细阅读数据手册中的各项指标和限制,以确保最佳使用效果。

NCE55P15K-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 48mΩ@10V,57mΩ@4.5V
栅极电荷 -
配置 -
FET类型 1个P沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V
最大功率耗散 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Id-连续漏极电流 22A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NCE55P15K-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NCE55P15K-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NCE55P15K-VB NCE55P15K-VB数据手册

NCE55P15K-VB封装设计

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