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FU120N-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,10A,RDS(ON),220mΩ@10V,264mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO-251
供应商型号: FU120N-VB TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FU120N-VB

FU120N-VB概述

    FU120N N-Channel 100-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    FU120N 是一款高性能 N-Channel 100-V 漏极-源极(D-S)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。它专为高可靠性、低功耗应用设计,适用于电源管理和电机控制等领域。此款MOSFET具有出色的动态开关性能,能够在高温环境下稳定工作,并且易于并联,使其成为多种应用的理想选择。

    技术参数


    - 漏极-源极电压 (VDS):100 V
    - 栅极-源极电压 (VGS):± 20 V
    - 连续漏极电流 (ID):25 °C 下为 12 A,100 °C 下为 7.5 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM):最大为 37 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):200 mJ
    - 雪崩电流 (IAR):9.2 A
    - 重复雪崩能量 (EAR):6.0 mJ
    - 峰值二极管恢复 (dV/dt):5.5 V/ns
    - 最大功率耗散 (PD):25 °C 下为 60 W
    - 热阻 (RthJA):最大为 62 °C/W
    - 导通电阻 (RDS(on)):在 VGS = 10 V 下为 0.20 Ω
    - 总门极电荷 (Qg):最大为 16 nC
    - 开关时间参数:导通延迟时间 (td(on)) 为 8.8 ns,上升时间 (tr) 为 30 ns

    产品特点和优势


    1. 卤素无害:符合 IEC 61249-2-21 标准,无卤素。
    2. 快速开关:具备快速的开关特性,适合高频应用。
    3. 耐高温:能够在高达 175 °C 的温度下正常工作。
    4. 易于并联:由于内部结构设计,使得多器件并联更加容易。
    5. 动态 dv/dt 额定值:动态 dv/dt 额定值,保证了其在各种动态条件下的稳定性。
    6. 重复雪崩额定值:具有重复雪崩保护能力,确保长期可靠运行。

    应用案例和使用建议


    FU120N 主要应用于电源管理、电机控制和逆变器等领域。例如,在电源管理中,它可以用于低压开关电源的应用,因为其低导通电阻能够有效降低功耗。在电机控制方面,可以用于驱动高压电机,而不会因过高的电压导致过热或损坏。
    使用建议:
    - 确保电路中的栅极电阻 (Rg) 设置适当,以避免过度开关损耗。
    - 保持适当的散热措施,特别是在高温环境中使用时。
    - 在并联多个 MOSFET 时,需注意对称分布以减少寄生电感的影响。

    兼容性和支持


    FU120N 支持标准的贴带包装(Tape and Reel),方便自动化组装过程。VBsemi 提供了详尽的技术支持,包括应用指南、样品和技术文档等,确保客户能够充分利用产品的性能。

    常见问题与解决方案


    1. 如何正确设置栅极电阻 (Rg)?
    - 解决方案:查阅数据表中的建议值,确保栅极电阻 (Rg) 不小于 18 Ω,以防止门极振荡。

    2. 如何防止过热?
    - 解决方案:使用良好的散热片或冷却风扇来提高散热效果,尤其是在高功率应用中。

    3. 如何并联多个 MOSFET?
    - 解决方案:并联时要注意对称分布,确保每颗 MOSFET 负载均衡,减小寄生电感的影响。

    总结和推荐


    FU120N N-Channel 100-V MOSFET 是一款性能优异、可靠性高的功率器件,特别适合于需要快速开关和高温工作环境的应用场合。其优秀的电气特性和低导通电阻使其在各种应用中表现出色。我们强烈推荐这款产品给寻求高效能、低成本解决方案的工程师和设计师。

FU120N-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 10A
Vds-漏源极击穿电压 100V
配置 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 220mΩ@10V,264mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

FU120N-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FU120N-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FU120N-VB FU120N-VB数据手册

FU120N-VB封装设计

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