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UTT25P10L-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-100V,-18A,RDS(ON),167mΩ@10V,178mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.6Vth(V) 封装:TO-220AB
供应商型号: UTT25P10L-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UTT25P10L-VB

UTT25P10L-VB概述

    # UTT25P10L P-Channel MOSFET 技术手册解析

    一、产品简介


    UTT25P10L 是一款高性能的 P 沟道增强型 MOSFET,采用了先进的 TrenchFET® 功率 MOSFET 技术,专为高电流负载开关和直流/交流转换器设计。该产品符合 RoHS 指令(2002/95/EC)和无卤素标准(IEC 61249-2-21 定义),具有出色的电气性能和可靠性,广泛应用于高功率开关电源、负载开关及 DC/DC 转换器等领域。
    主要特点:
    - 额定电压:100V (D-S)
    - 连续漏极电流:-18A
    - 低导通电阻:典型值 167mΩ@VGS=10V
    - 高可靠性测试:100% 的 Rg 和 UIS 测试通过
    应用领域:
    - 高电流负载开关
    - DC/DC 转换器
    - 其他高压开关电路

    二、技术参数


    以下是 UTT25P10L 的核心技术参数,涵盖其电气特性和工作环境:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS 100 | V |
    | 栅源击穿电压 | VGS | ±20 V |
    | 漏极连续电流(TJ=150°C) | ID -18 A |
    | 导通电阻(VGS=10V) | RDS(on) 167 mΩ |
    | 输入电容 | Ciss | 1460 pF |
    | 输出电容 | Coss | 330 pF |
    | 温度范围 | TJ, Tstg | -55 150 | °C |
    工作环境:
    - 最大功耗:11.7W(TC=25°C)
    - 热阻:RthJA = 60°C/W
    - 工作温度:-55°C 至 150°C

    三、产品特点和优势


    UTT25P10L 在同类产品中具有明显的技术优势,具体如下:
    1. 低导通电阻:典型值仅为 167mΩ@VGS=10V,有效降低功耗并提升效率。
    2. 高电流承载能力:可承受最大连续漏极电流为 -18A,适用于高电流负载环境。
    3. 快速开关性能:具有较短的开关时间(td(on)=10ns, td(off)=42ns),适合高频应用。
    4. 无卤素设计:符合 IEC 61249-2-21 标准,环保友好。
    5. 全面测试:100% 的 Rg 和 UIS 测试,确保产品稳定性和可靠性。
    这些特点使 UTT25P10L 在高效率、高可靠性需求的应用场景中表现出色,特别是在对功率密度和能效要求较高的领域。

    四、应用案例和使用建议


    应用案例:
    1. DC/DC 转换器:用于降压或升压转换器中,提供高效能开关性能。
    2. 负载开关:在高电流负载开关中替代传统继电器,实现更紧凑的设计。
    3. 车载充电器:利用其高可靠性和宽温度范围,满足汽车电子的需求。
    使用建议:
    - 在高频应用中,应尽量缩短栅极引线长度以减少寄生效应。
    - 建议使用合适的散热片降低热阻(RthJA),防止过温保护触发。
    - 根据 SOA 曲线调整电压,避免超出最大允许范围。

    五、兼容性和支持


    UTT25P10L 采用标准 TO-220AB 封装,易于与多种 PCB 设计兼容。厂商提供完善的技术支持和售后服务,客户可通过服务热线(400-655-8788)咨询技术问题并获取产品文档。

    六、常见问题与解决方案


    问题 1:如何优化导通电阻?
    解决办法:适当提高栅极驱动电压至接近阈值电压(如 VGS=-10V),可显著降低 RDS(on)。
    问题 2:如何避免热失控?
    解决办法:在设计时考虑合理的散热措施,例如增加散热片面积或选择更低热阻的封装。
    问题 3:如何防止反向恢复问题?
    解决办法:可在电路中加入续流二极管以缓解反向恢复电流的影响。

    七、总结和推荐


    综上所述,UTT25P10L 是一款性能卓越的 P 沟道 MOSFET,具有低导通电阻、高可靠性及广泛的温度适应性,非常适合高电流负载开关和 DC/DC 转换器等应用。此外,厂商的支持和服务也为产品提供了可靠的保障。
    推荐指数:★★★★★
    强烈推荐用于需要高效、高可靠性解决方案的设计项目中!

UTT25P10L-VB参数

参数
FET类型 1个P沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 18A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
配置 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 167mΩ@10V,178mΩ@4.5V
栅极电荷 -
通用封装 TO-220AB
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

UTT25P10L-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UTT25P10L-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UTT25P10L-VB UTT25P10L-VB数据手册

UTT25P10L-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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