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NTD12N10-1G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,15A,RDS(ON),115mΩ@10V,120mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.41Vth(V) 封装:TO-251
供应商型号: NTD12N10-1G-VB TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NTD12N10-1G-VB

NTD12N10-1G-VB概述


    产品简介


    N-Channel 100V MOSFET (NTD12N10-1G)
    NTD12N10-1G 是一款 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有出色的开关特性和高可靠性。此款 MOSFET 主要应用于电源管理和控制领域,尤其适用于初级侧开关电路。其优异的热稳定性和宽泛的工作温度范围使其成为各种严苛环境下的理想选择。

    技术参数


    - 工作电压 (VDS): 100 V
    - 栅源电压 (VGS): ±20 V
    - 连续漏极电流 (ID):
    - TC = 25°C 时为 15 A
    - TC = 125°C 时为 8.7 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 45 A
    - 连续源电流 (IS): 15 A
    - 雪崩电流 (IAR): 15 A
    - 重复雪崩能量 (EAR): 11.3 mJ
    - 最大功率耗散 (PD):
    - TC = 25°C 时为 61 W
    - TA = 25°C 时为 2.7 W
    - 绝对最高额定值 (ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS):
    - 工作结温及存储温度范围 (TJ, Tstg): -55°C 至 175°C
    - 封装类型: TO-251
    - 典型特性: 静态和动态特性均在 25°C 下测试

    产品特点和优势


    1. 高温稳定性: 能承受高达 175°C 的结温。
    2. 可靠性能: 全部经过栅极电阻(Rg)测试,确保产品稳定性。
    3. 高击穿电压: VDS 达到 100 V,适用于高压应用。
    4. 低导通电阻: 最大导通电阻 RDS(on) 在 10 V 栅源电压下仅为 0.110 Ω,从而降低功耗。
    5. 良好的热稳定性: 热阻 RthJA 为 16°C/W,RthJC 为 2°C/W。

    应用案例和使用建议


    NTD12N10-1G 广泛应用于电源管理,如开关电源、电机驱动等场合。在具体使用时应注意以下几点:
    - 散热设计: 由于 MOSFET 功率较大,在高电流情况下需考虑适当的散热措施,如增加散热片或散热器。
    - 电路保护: 使用时建议添加保护电路,例如限流电阻或瞬态电压抑制二极管(TVS),以防止过压损坏。
    - 栅极驱动: 由于存在较大的栅极电容(Ciss),建议使用快速开关栅极驱动器,以避免延迟和能耗。

    兼容性和支持


    NTD12N10-1G 采用标准 TO-251 封装,易于安装于各类 PCB 上,且可与多种现有的 PCB 设计兼容。厂商提供详细的技术文档和技术支持服务,如有任何疑问可联系服务热线:400-655-8788。

    常见问题与解决方案


    1. MOSFET 过热问题: 检查电路设计是否合理,是否存在散热不良的情况。建议增加散热片并检查工作温度范围。
    2. 栅极驱动不稳定: 确保栅极驱动电路正常工作,减少寄生电感和杂散电容的影响。
    3. 漏极电流不稳定: 确认电路中无短路,检查负载是否符合要求。

    总结和推荐


    综上所述,NTD12N10-1G 是一款性能卓越的 N 沟道 MOSFET,适用于多种高功率应用场合。其优越的耐温性和低导通电阻使其在市场上具备显著的竞争优势。对于需要高性能、高可靠性的应用场景,强烈推荐使用这款产品。

NTD12N10-1G-VB参数

参数
栅极电荷 20nC@ 10V
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
配置 -
Id-连续漏极电流 15A
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.41V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 115mΩ@10V,120mΩ@4.5V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

NTD12N10-1G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NTD12N10-1G-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NTD12N10-1G-VB NTD12N10-1G-VB数据手册

NTD12N10-1G-VB封装设计

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