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XP162A12A6-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-30V,-5.8A,RDS(ON),50mΩ@10V,56mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-0.6~-2Vth(V) 封装:SOT89-3
供应商型号: XP162A12A6-VB SOT89-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) XP162A12A6-VB

XP162A12A6-VB概述

    # XP162A12A6 P-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    XP162A12A6 是一款由 VBsemi 公司生产的 P-Channel 30-V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这类电子元器件广泛应用于各种电路设计中,尤其是在需要高功率和低导通电阻的应用场合。具体来说,这款 MOSFET 主要用于负载开关(Load Switch)和电池开关(Battery Switch)等领域。

    技术参数


    基本参数
    - 漏源电压 (VDS):-30V
    - 连续漏极电流 (ID):最大为 -7.6A (在 25°C)
    - 最大功率耗散 (PD):6.5W (在 25°C)
    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDS):-30V
    - 栅源电压 (VGS):±20V
    - 最大工作结温 (TJ):150°C
    - 存储温度范围 (Tstg):-55°C 到 150°C
    性能参数
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS = -10V 时,ID = -7.0A,RDS(on) = 0.050Ω
    - VGS = -4.5V 时,ID = -5.6A,RDS(on) = 0.056Ω
    - 栅电荷 (Qg):
    - VDS = -15V,VGS = -10V,ID = -7.0A 时,Qg = 25nC
    - VDS = -15V,VGS = -4.5V,ID = -7.0A 时,Qg = 13nC
    - 输入电容 (Ciss):1355pF
    - 输出电容 (Coss):180pF
    - 反向传输电容 (Crss):145pF
    - 反向恢复时间 (trr):22ns 到 33ns

    产品特点和优势


    XP162A12A6 MOSFET 的显著特点包括:
    - 无卤素:符合 IEC 61249-2-21 标准,适用于环保要求较高的场合。
    - 全栅测试:100% Rg 测试确保产品质量。
    - 低导通电阻:具有较低的 RDS(on),确保在开关状态下能够高效导电,减少能耗。
    - 高速开关能力:具有较短的开关延迟时间和较快的上升下降时间,提高电路效率。
    - 可靠性和耐用性:适用于宽广的工作温度范围,能够在严苛环境下稳定运行。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 负载开关:适用于需要快速响应和高可靠性切换的场合。
    - 电池开关:在电池供电设备中,该 MOSFET 可以实现高效的电源管理。
    使用建议
    - 在使用 MOSFET 进行电路设计时,务必注意其漏源电压和电流限制,避免因过载而导致损坏。
    - 选择合适的栅极电阻 (Rg) 和驱动电压 (VGS),以确保 MOSFET 的高效工作。
    - 考虑散热措施,特别是在高电流和高温环境下使用时,以保证 MOSFET 的长期稳定性。

    兼容性和支持


    - 兼容性:XP162A12A6 MOSFET 与现有的大多数 SOT89 封装标准兼容,可以方便地替换现有系统中的同类产品。
    - 支持服务:VBsemi 提供全面的技术支持,包括详细的规格书和技术文档,以及在线咨询服务。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. MOSFET 为何会过热?
    - 解决方案:检查散热措施是否到位,确保 MOSFET 工作在规定的温度范围内。适当增加散热片或者采用外部风扇辅助散热。
    2. 如何正确测量导通电阻 (RDS(on))?
    - 解决方案:使用万用表并按照正确的测试条件进行测量,如确保 VGS 在额定范围内。
    3. MOSFET 开关频率过高导致失效怎么办?
    - 解决方案:降低开关频率,增加栅极电阻 (Rg) 以减缓开关过程中的瞬态变化,从而减少损耗。

    总结和推荐


    XP162A12A6 P-Channel MOSFET 是一款高性能的产品,具有优秀的导通电阻、快速的开关速度和可靠的性能。它在多种应用场景中表现出色,特别是负载开关和电池开关方面。因此,强烈推荐该产品在需要高效和可靠的电路设计中使用。然而,在使用前请务必仔细阅读技术手册并遵循所有安全指南。

XP162A12A6-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -600mV~-2V
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 50mΩ@10V,56mΩ@4.5V
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 30V
FET类型 1个P沟道
Id-连续漏极电流 5.8A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

XP162A12A6-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

XP162A12A6-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 XP162A12A6-VB XP162A12A6-VB数据手册

XP162A12A6-VB封装设计

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