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IRLZ34PBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,50A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO220 是一款单通道N沟道场效应管,具有适中的电压容限和漏极电流,适用于中功率应用场景。
供应商型号: IRLZ34PBF-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRLZ34PBF-VB

IRLZ34PBF-VB概述

    IRLZ34PBF-VB N-Channel MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    IRLZ34PBF-VB 是一款由 VBsemi 公司生产的 N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款 MOSFET 主要用于电源管理、电机驱动、直流-直流转换等应用场景。它具有无卤素、表面贴装和逻辑级门驱动等特点,适用于各种工业控制设备及消费电子领域。

    2. 技术参数


    以下是 IRLZ34PBF-VB 的主要技术规格和性能参数:
    - 额定电压:VDS(漏源电压)= 60V
    - 连续漏极电流:ID(最大温度为 100°C 时)= 36A
    - 脉冲漏极电流:IDM = 200A(脉宽限制)
    - 最大功率耗散:PD = 150W(环境温度为 25°C 时)
    - 结到环境热阻:RthJA = 62°C/W
    - 结到外壳热阻:RthJC = 1.0°C/W
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压 VDS = 60V
    - 栅源阈值电压 VGS(th) = 1.0 - 2.5V
    - 零栅源电压漏极电流 IDSS = 25μA
    - 动态参数
    - 输入电容 Ciss = 190pF
    - 输出电容 Coss = 170pF
    - 传输电容 Crss = 920pF
    - 总栅电荷 Qg = 66nC

    3. 产品特点和优势


    - 无卤素:符合 IEC 61249-2-21 标准。
    - 表面贴装:适用于自动化生产线。
    - 逻辑级门驱动:便于与其他数字电路集成。
    - 快速开关:适用于高频应用。
    - RoHS 合规:满足欧盟环保要求。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:此 MOSFET 广泛应用于电源管理和电机控制电路中。例如,在开关电源中作为同步整流管使用,提高系统效率。
    - 使用建议:
    - 在高温环境下使用时,确保散热良好,以避免过热损坏。
    - 设计 PCB 布局时,注意减少寄生电感和泄漏电感,这有助于提升开关速度和降低损耗。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:与标准 TO-220AB 封装兼容,易于安装在常用 PCB 板上。
    - 支持:制造商提供详尽的技术支持和文档资料,包括应用指南、设计手册等。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:过温保护失效。
    - 解决方案:检查散热系统是否正常工作,必要时增加散热片或风扇。
    - 问题:输出波形不理想。
    - 解决方案:检查 PCB 布局,确保低寄生电感和泄漏电感,同时调整门极电阻和驱动电压。

    7. 总结和推荐


    IRLZ34PBF-VB 是一款高性能的 N-Channel MOSFET,具备无卤素、表面贴装和逻辑级门驱动等特性。其在电源管理和电机控制方面的应用广泛且可靠。虽然存在一些应用限制和潜在问题,但通过合理的 PCB 布局和散热设计,可以有效规避这些问题。总体来说,IRLZ34PBF-VB 是一款值得推荐的产品。

IRLZ34PBF-VB参数

参数
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@10V,28mΩ@4.5V
通道数量 -
栅极电荷 66nC@ 5V
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 50A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
配置 -
通用封装 TO-220AB
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IRLZ34PBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRLZ34PBF-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRLZ34PBF-VB IRLZ34PBF-VB数据手册

IRLZ34PBF-VB封装设计

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