处理中...

首页  >  产品百科  >  FDS6699S-VB

FDS6699S-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,30V,18A,RDS(ON),5mΩ@10V,6.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.72Vth(V) 封装:SOP8
供应商型号: FDS6699S-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FDS6699S-VB

FDS6699S-VB概述

    FDS6699S N-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    FDS6699S 是一款采用 TrenchFET® 技术的高性能 N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),特别适用于高边同步整流操作。这款器件主要用于笔记本电脑CPU核心中的高边开关应用,具有低导通电阻(RDS(on))和高连续漏极电流(ID)的特点。其关键功能包括优化的栅极驱动和快速开关速度,使其非常适合于高效能功率转换应用。

    2. 技术参数


    - 额定电压 (VDS):30 V
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS = 10 V 时为 0.004 Ω
    - VGS = 4.5 V 时为 0.005 Ω
    - 最大连续漏极电流 (ID):
    - TC = 25°C 时为 18 A
    - TC = 70°C 时为 16 A
    - 总栅极电荷 (Qg):
    - VDS = 15 V,VGS = 10 V 时为 15 nC
    - VDS = 15 V,VGS = 5 V 时为 6.8 nC
    - 栅极电阻 (Rg):0.36 – 3.6 Ω
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg):-55°C 到 150°C
    - 热阻 (RthJA):最大 50 °C/W
    - 封装形式:SO-8

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:FDS6699S 具有非常低的导通电阻,有助于减少功率损耗和提高效率。
    - 优化设计:专为高边同步整流操作而设计,适合高效率的应用场景。
    - 全面测试:100% Rg 和 UIS 测试,确保产品质量。
    - 宽温度范围:在极端环境下也能保持良好的性能。
    - 环保材料:无卤素,符合RoHS标准,绿色环保。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:笔记本电脑CPU核心的高边开关。在电源管理电路中,用于高频和高效率的应用场合。
    - 使用建议:
    - 在设计时考虑适当的散热措施,以防止过热影响性能。
    - 使用符合规范的PCB布局,确保良好的电气性能和热传导。
    - 在电路板上合理布置FDS6699S,以便于散热。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:FDS6699S 采用标准的SO-8封装,与多种主流微控制器和电源管理芯片兼容。
    - 支持:制造商提供详细的技术文档和在线技术支持,帮助客户快速解决问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:如何判断FDS6699S是否过热?
    - 解决方案:检查温度传感器读数或观察是否有明显的烫手现象。如果怀疑过热,可以增加散热片或改进散热设计。
    - 问题:为何FDS6699S的工作电流限制在18A?
    - 解决方案:此限制是由于器件的最大热耗散能力决定的。可以通过改进散热措施来提高电流限制,但需注意不超过绝对最大额定值。

    7. 总结和推荐


    FDS6699S 是一款高效的N-Channel MOSFET,具备低导通电阻、快速开关能力和宽工作温度范围,非常适合于笔记本电脑CPU核心的高边开关应用。其无卤素的设计也符合现代电子产品对环保的要求。总体来说,该产品在性能和可靠性方面表现出色,强烈推荐给需要高效能功率转换解决方案的用户。

FDS6699S-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 5mΩ@10V,6.5mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.72V
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
Id-连续漏极电流 18A
Vds-漏源极击穿电压 30V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

FDS6699S-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FDS6699S-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FDS6699S-VB FDS6699S-VB数据手册

FDS6699S-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.6525
100+ ¥ 1.5301
500+ ¥ 1.4688
4000+ ¥ 1.4077
库存: 400000
起订量: 20 增量: 4000
交货地:
最小起订量为:20
合计: ¥ 33.05
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0