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2SK3483-Z-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,100V,40A,RDS(ON),30mΩ@10V,31mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252\n晶体管具有较高的漏极电流容量和较低的漏极-源极电阻,非常适合用作汽车电子模块中的功率开关器件。在汽车电子模块中,它可以用于发动机控制、电动助力转向、车载充电桩等应用,确保汽车系统的稳定性和性能。
供应商型号: 2SK3483-Z-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SK3483-Z-VB

2SK3483-Z-VB概述


    产品简介


    N-Channel 100-V MOSFET(型号2SK3483-Z)是一款高性能的功率场效应晶体管(Power MOSFET),专为高压应用设计。它采用了先进的TrenchFET®技术,具有极高的耐温能力和低热阻封装,适用于各种工业控制和电源转换系统。其主要功能是在开关模式电源中作为高效开关器件,广泛应用于开关电源、电机驱动、汽车电子、消费电子等领域。

    技术参数


    - 电压参数:
    - 击穿电压 \( V{BR}DSS \): 100 V
    - 连续漏极电流 \( ID \): 40 A(\( TJ = 175 ^\circ C \))
    - 最大脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 120 A
    - 反复雪崩电流 \( I{AR} \): 35 A
    - 最大重复雪崩能量 \( E{AR} \): 61 mJ
    - 热参数:
    - 热阻 \( R{thJA} \): 40 °C/W
    - 热阻 \( R{thJC} \): 1.4 °C/W
    - 其他参数:
    - 最大工作结温和存储温度范围: -55 °C 至 175 °C
    - 零栅极电压漏极电流 \( I{DSS} \): 1 μA(@ 100 V, \( V{GS} = 0 V \), \( TJ = 125 ^\circ C \))

    产品特点和优势


    - 高可靠性:采用TrenchFET®技术,确保在高电流和高温环境下稳定运行。
    - 低热阻:极低的热阻保证了器件在高负载下的散热性能,有效延长使用寿命。
    - 高耐温能力:最高可承受175 °C的结温,适合于高温工业环境。
    - 卓越的电气性能:低导通电阻(\( r{DS(on)} \))和高效的开关特性,确保了更高的效率和更低的损耗。

    应用案例和使用建议


    应用案例:2SK3483-Z常用于开关电源模块中,如DC-DC转换器、逆变器等。例如,在一个典型的500 W DC-DC转换器中,该器件可以作为主开关进行高效的功率转换。
    使用建议:
    - 在高温环境中使用时,应注意散热,以避免过热损坏。
    - 在选择配套电路元件时,应考虑其额定电流和电压等级,确保系统安全可靠。
    - 在设计PCB时,应采用适当的焊盘设计和布局,确保良好的散热效果。

    兼容性和支持


    该产品支持标准的TO-252封装,易于安装和更换。厂商提供详细的技术文档和支持服务,包括在线技术支持和现场服务。同时,2SK3483-Z符合RoHS和无卤素标准,适用于环保要求较高的应用场景。

    常见问题与解决方案


    常见问题:
    1. 如何确定器件的导通状态?
    2. 在高温环境中使用时,如何防止过热?
    解决方案:
    1. 确认器件的工作电压和电流条件,检查其是否达到导通阈值。
    2. 使用高效的散热器并确保良好的气流循环,必要时增加风扇或散热片。

    总结和推荐


    总体评估:2SK3483-Z凭借其出色的耐温性能、高可靠性和卓越的电气特性,成为一款优秀的功率MOSFET产品。它适用于多种工业和消费电子产品,特别适合需要高功率密度和高效能的应用场合。
    推荐使用:鉴于其优异的性能和广泛的应用场景,强烈推荐在需要高可靠性和高效率的电源系统中使用2SK3483-Z。

2SK3483-Z-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 30mΩ@10V,31mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
配置 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 40A
栅极电荷 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

2SK3483-Z-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SK3483-Z-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SK3483-Z-VB 2SK3483-Z-VB数据手册

2SK3483-Z-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 2.9159
100+ ¥ 2.6999
500+ ¥ 2.4839
2500+ ¥ 2.3759
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