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WPM2015-3/TR-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 -20V,-4A,RDS(ON),57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.81Vth(V) 封装:\'SOT23-3 一款单P型MOSFET,适用于多种电源和功率控制应用,包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。
供应商型号: 14M-WPM2015-3/TR-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) WPM2015-3/TR-VB

WPM2015-3/TR-VB概述

    P-Channel 20-V MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    P-Channel 20-V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种高效的功率控制电子元器件,适用于多种应用场合。这种MOSFET主要用于负载开关和电源管理电路中,例如PA开关和直流/直流转换器。它的主要功能是通过控制栅极电压来调节电流,从而实现对电路的高效开关控制。

    技术参数


    以下是P-Channel 20-V MOSFET的主要技术参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 栅源电压 | VGS | ± 12 V |
    | 漏源电压 | VDS - 20 V |
    | 持续漏电流 | ID | - 5e | - 4.8| - 3.5| A |
    | 脉冲漏电流 | IDM - 18 | A |
    | 静态漏源击穿电压 | VDS - 20 V |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) | 0.035 | 0.043| 0.061| Ω |
    | 门电荷 | Qg | 6.4 | 10 nC |
    | 门到源电荷 | Qgs | 1.7 nC |
    | 门到漏电荷 | Qgd | 3.4 nC |
    | 开启延时时间 | td(on) | 22 | 33 ns |
    | 关闭延时时间 | td(off) | 28 | 42 ns |
    工作温度范围:-55°C 到 150°C
    绝对最大额定值:
    - 极限工作温度:-55°C 至 150°C
    - 最大连续漏电流:5A(在不同环境温度下有所不同)
    - 最大脉冲漏电流:18A
    热阻抗:
    - 最大结至壳体热阻:40°C/W
    - 最大结至散热片热阻:75°C/W

    产品特点和优势


    - 使用TrenchFET®技术,确保高效率和低导通电阻。
    - 具有出色的耐高温性能,能够在高达150°C的工作环境下稳定运行。
    - 符合RoHS标准,环保无卤素材料。
    - 100% Rg测试保证了产品质量。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 负载开关
    - PA开关
    - 直流/直流转换器
    使用建议:
    - 确保在设计电路时留有足够的散热空间,特别是在高功率操作下。
    - 在焊接过程中,注意温度控制,避免过热导致损坏。
    - 根据具体的应用需求选择合适的栅极驱动电压,以获得最佳的开关性能。

    兼容性和支持


    P-Channel 20-V MOSFET 尺寸为SOT-23封装,适用于标准的表面贴装工艺。它可与多种现有设备兼容,方便集成到现有的电路板设计中。制造商提供详尽的技术支持和售后服务,确保用户能够顺利使用和维护产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题:MOSFET过热
    解决方案:增加散热片或优化散热设计。
    - 问题:栅极驱动电压不稳定
    解决方案:使用稳定的电源并检查连接线路。
    - 问题:工作温度过高
    解决方案:选择合适的工作环境,确保良好的散热条件。

    总结和推荐


    综上所述,P-Channel 20-V MOSFET 是一款高效、可靠的电子元器件,特别适合于高功率和高温环境下的应用。其出色的耐温性能和低导通电阻使其在负载开关、PA开关和直流/直流转换器等领域具有显著优势。如果你正在寻找一款能够在恶劣环境下可靠工作的MOSFET,P-Channel 20-V MOSFET 绝对是一个值得考虑的选择。

WPM2015-3/TR-VB参数

参数
配置 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 12V
Rds(On)-漏源导通电阻 57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 810mV
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
FET类型 1个P沟道
Vds-漏源极击穿电压 20V
Id-连续漏极电流 4A
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

WPM2015-3/TR-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

WPM2015-3/TR-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 WPM2015-3/TR-VB WPM2015-3/TR-VB数据手册

WPM2015-3/TR-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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50+ ¥ 0.3174
150+ ¥ 0.2833
500+ ¥ 0.2123
3000+ ¥ 0.2043
9000+ ¥ 0.1984
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