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IRF9530P-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-100V,-18A,RDS(ON),167mΩ@10V,178mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.6Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: IRF9530P-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF9530P-VB

IRF9530P-VB概述

    # P-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    P-Channel MOSFET 是一种常见的电子元器件,主要用于高电流应用中的电源开关和负载开关。该型号为IRF9530P,是一款高性能的沟槽式功率 MOSFET(TrenchFET®),具有低导通电阻和高可靠性。该产品广泛应用于DC/DC转换器、电源开关和高电流应用中的负载开关。

    技术参数


    主要参数
    - 最大漏源电压 (VDS): 100 V
    - 最大栅源电压 (VGS): ± 20 V
    - 最大连续漏电流 (ID): - 18 A (TC = 25°C)
    - 最大脉冲漏电流 (IDM): - 100 A
    - 最大耗散功率 (PD): 11.7 W (TC = 25°C)
    静态参数
    - 漏源击穿电压 (VDS): - 100 V
    - 栅阈电压 (VGS(th)): - 1 ~ - 2.5 V
    - 零栅压漏电流 (IDSS): - 50 µA (VDS = -100 V, VGS = 0 V, TJ = 125°C)
    动态参数
    - 输入电容 (Ciss): 1765 pF
    - 输出电容 (Coss): 330 pF
    - 反向转移电容 (Crss): 280 pF
    - 总栅电荷 (Qg): 67 nC (典型值)
    热阻参数
    - 结到环境热阻 (RthJA): 60 °C/W (PCB安装时)
    - 结到外壳热阻 (RthJC): 9 °C/W
    绝对最大额定值
    - 连续漏电流 (TC = 25°C): - 18 A
    - 脉冲漏电流 (t = 300 µs): - 100 A
    - 单次雪崩能量 (EAS): 31 mJ

    产品特点和优势


    IRF9530P P-Channel MOSFET 的主要特点和优势如下:
    - 符合RoHS和无卤素标准
    - 高效的TrenchFET®技术
    - 100% Rg和UIS测试合格
    - 在高电流应用中具有出色的性能
    - 低导通电阻 (RDS(on)) 和高速开关特性

    应用案例和使用建议


    应用案例
    IRF9530P MOSFET 主要用于高电流应用中的负载开关和电源开关。例如,在DC/DC转换器中作为开关管使用,可以有效提升转换效率和降低功耗。
    使用建议
    1. 在使用过程中确保漏源电压 (VDS) 不超过100 V。
    2. 由于高电流应用中可能出现过热现象,建议在外壳上安装散热器以提高散热效果。
    3. 注意在启动过程中避免过大的脉冲电流,以免损坏器件。

    兼容性和支持


    - IRF9530P MOSFET 与其他同类型号的器件具有良好的兼容性。
    - 厂商提供详细的技术文档和支持服务,用户可通过官网获取更多信息。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何处理高电流应用中的过热现象?
    - 解决方案:在外壳上安装散热器,增加散热面积,以提高散热效果。

    2. 问题:如何保证IRF9530P MOSFET 的长期稳定性?
    - 解决方案:遵循手册中的使用建议,定期检查和维护,确保器件工作在安全温度范围内。

    总结和推荐



    总结


    IRF9530P P-Channel MOSFET 是一款高可靠性的电子元器件,具备优秀的性能和广泛的应用范围。其主要优点包括:
    - 低导通电阻和高效的开关性能
    - 优秀的热稳定性和可靠性
    - 严格的测试和认证,确保产品质量
    推荐
    鉴于IRF9530P的优秀性能和广泛应用,强烈推荐在高电流应用和电源管理设计中使用此产品。通过合理的选型和使用方法,用户可以充分发挥其性能优势,实现高效稳定的系统运行。

IRF9530P-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 100V
Rds(On)-漏源导通电阻 167mΩ@10V,178mΩ@4.5V
通道数量 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个P沟道
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 18A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
通用封装 TO-220AB
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IRF9530P-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF9530P-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRF9530P-VB IRF9530P-VB数据手册

IRF9530P-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.0997
100+ ¥ 1.9441
500+ ¥ 1.8663
1000+ ¥ 1.7886
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