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IRFZ44ES-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,40A,RDS(ON),23mΩ@10V,27mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO263一款高性能的功率MOSFET,适用于多种领域的功率电子应用。具有高效、稳定和可靠的特性,可满足不同应用场景的需求。
供应商型号: IRFZ44ES-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFZ44ES-VB

IRFZ44ES-VB概述

    # IRFZ44ES-VB N-Channel 60V MOSFET 技术手册

    产品简介


    IRFZ44ES-VB 是一款由VBsemi公司生产的N沟道增强型功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),额定电压为60V,专为高效率开关应用设计。这款器件采用D2PAK(TO-263)封装,提供表面贴装选项,并且支持自动贴片生产(Tape and Reel)。IRFZ44ES-VB符合RoHS指令2002/95/EC以及无卤素标准(IEC 61249-2-21定义),适合广泛的应用领域,例如电源管理、电机控制、逆变器以及直流-直流转换器等。

    技术参数


    以下为IRFZ44ES-VB的主要技术参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极电压 | VDS | - | - | 60 | V |
    | 栅极-源极电压 | VGS | ±10 V |
    | 持续漏极电流(TC=25°C) | ID | - | 50 | - | A |
    | 持续漏极电流(TC=100°C)| ID | - | 36 | - | A |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | - | - | 400 | mJ |
    | 热阻(结到外壳) | RthJC | - | 1.0 | - | °C/W |
    | 栅极电荷 | Qg | - | 66 | - | nC |
    其他关键参数还包括:栅极-源极阈值电压(VGS(th))范围为1.0至3.0V;零栅极电压下的漏极电流(IDSS)在不同条件下的典型值为25μA到250μA;导通电阻(RDS(on))在10V栅极电压下的典型值为0.032Ω。

    产品特点和优势


    IRFZ44ES-VB具有以下显著特点和优势:
    - 低导通电阻:典型的RDS(on)仅为0.032Ω(当VGS=10V时),这使得它非常适合于需要高效能的场合。
    - 快速开关速度:具备逻辑级门驱动能力,允许快速开关操作,从而减少功耗并提高效率。
    - 高可靠性:通过了无卤素材料认证,并且满足RoHS要求,确保环保友好型应用。
    - 紧凑型设计:采用D2PAK封装,便于安装且占用空间小,非常适合现代化电路板布局需求。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. DC-DC转换器:作为主开关元件用于降压或升压变换器中。
    2. 电机驱动:可用于控制电动机的速度与方向。
    3. UPS系统:提供高效的能量转换解决方案。
    4. LED照明:适用于驱动LED阵列以实现节能效果。
    使用建议
    为了最大化IRFZ44ES-VB的工作效率,在实际应用时应注意以下几点:
    - 确保良好的散热措施来维持较低的工作温度。
    - 配置适当的栅极电阻以防止过大的di/dt冲击。
    - 注意避免超载运行以免损坏器件。

    兼容性和支持


    IRFZ44ES-VB与其他大多数标准接口兼容良好,可以轻松集成到现有系统内。此外,VBsemi提供了详尽的技术文档和技术支持服务,包括在线论坛、电话咨询及电子邮件交流等多种形式的支持方式。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致发热严重 | 调整驱动电路降低开关速度。 |
    | 启动瞬间出现异常行为 | 检查电源连接是否正确。 |
    | 在高频应用下表现出不稳定现象 | 改善PCB布局减少寄生电感效应。 |

    总结和推荐


    综上所述,IRFZ44ES-VB是一款高性能、高可靠性的N沟道MOSFET,非常适合各种功率管理应用场景。其优异的电气特性和稳健的设计使其成为现代电子产品不可或缺的一部分。我们强烈推荐使用此款器件进行新项目的开发或替换现有的旧式元件。如果您对具体应用有任何疑问,请随时联系我们的客户服务团队获取帮助。

IRFZ44ES-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
配置 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 40A
Rds(On)-漏源导通电阻 23mΩ@10V,27mΩ@4.5V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRFZ44ES-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFZ44ES-VB数据手册

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IRFZ44ES-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.4489
100+ ¥ 2.2675
500+ ¥ 2.1768
800+ ¥ 2.0861
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型号 价格(含增值税)
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