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IRFIZ24NPBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,45A,RDS(ON),27mΩ@10V,31mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:TO220F用于快速充电器中的功率开关元件,实现对电池的快速充电,适用于手机快充充电器、电动车快充充电器等设备。
供应商型号: IRFIZ24NPBF-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFIZ24NPBF-VB

IRFIZ24NPBF-VB概述


    产品简介


    IRFIZ24NPBF-VB 是一款由台湾VBsemi公司生产的N-沟道60V(漏源电压)功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。 这种类型的MOSFET主要用于高电压和高频应用,适用于电源管理、驱动电机、LED照明控制等领域。IRFIZ24NPBF-VB采用全包封TO-220封装,具备出色的隔离特性、低热阻和动态dV/dt能力,适用于工业自动化、新能源汽车和其他高压应用场合。

    技术参数


    技术规格
    - 漏源电压(VDS):60 V
    - 栅源电压(VGS):± 20 V
    - 持续漏电流(ID):45 A(TC = 25 °C),220 A(脉冲)
    - 脉冲漏电流(IDM):220 A
    - 热阻(RthJA):最大65 °C/W
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):100 mJ
    - 最大功耗(PD):52 W(TC = 25 °C)
    - 体二极管连续源漏电流(IS):120 A
    - 体二极管反向恢复时间(trr):140 - 300 ns
    性能参数
    - 静态漏源击穿电压(VDS):60 V
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):0.027 Ω(VGS = 10 V)
    - 输入电容(Ciss):1500 pF
    - 输出电容(Coss):无数据
    - 门极充电量(Qg):95 nC
    - 门源电荷(Qgs):27 nC
    - 门漏电荷(Qgd):46 nC

    产品特点和优势


    IRFIZ224NPBF-VB 的独特功能和优势在于:
    - 隔离特性:该MOSFET采用了隔离式封装,具有2.5 kVRMS的高电压隔离能力,适用于需要电气隔离的应用。
    - 高温运行:能够在高达175°C的工作温度下稳定运行,增强了其在高温环境下工作的可靠性。
    - 低热阻:其低热阻设计有助于提高散热效率,延长器件寿命。
    - 低栅泄漏电流:栅源漏电小,能够减少功耗并提高效率。
    - 兼容RoHS标准:无铅设计,符合环保要求。

    应用案例和使用建议


    应用案例:这款MOSFET常用于需要高电流和高电压的电力转换系统,如开关电源、电机驱动器、太阳能逆变器等。它在这些应用中能够有效降低功耗和提高系统的整体性能。
    使用建议:
    - 散热管理:由于其低热阻设计,应注意合理的散热方案以保持良好的工作温度。
    - 驱动电路设计:选择合适的驱动电阻以避免过高的电压变化率,从而保护MOSFET免受损坏。
    - 电路布局:采用低杂散电感的设计原则,有助于降低EMI干扰。

    兼容性和支持


    兼容性:该产品与其他标准TO-220封装的MOSFET和电源设备具有良好的兼容性。制造商提供全面的技术支持,包括详尽的文档和应用指南。
    支持和维护:台湾VBsemi提供完善的客户支持服务,包括技术支持热线(400-655-8788),并在其官方网站上提供详细的资料下载和技术文档,便于用户进行深入研究和调试。

    常见问题与解决方案


    常见问题与解决方案:
    1. 问题:温度过高导致器件失效
    - 解决方案:确保良好的散热方案,例如加装散热片或使用散热风扇。
    2. 问题:电路设计不当导致驱动电流不足
    - 解决方案:选择适当的栅极电阻和驱动电路,确保足够的栅极充电电流。
    3. 问题:噪音干扰导致工作不稳定
    - 解决方案:采用低杂散电感设计,并确保电路布局合理。

    总结和推荐


    总结:IRFIZ24NPBF-VB是一款性能卓越、应用广泛的N沟道MOSFET。其高电压隔离特性、低热阻设计和强大的耐温能力使其在各种严苛环境中都能可靠运行。在设计时需注意散热管理和驱动电路设计,以发挥其最佳性能。
    推荐:鉴于其优异的性能和广泛应用范围,强烈推荐给需要高功率密度和高效能电子系统的工程师们。无论是在工业自动化还是新能源汽车领域,这款MOSFET都是一个值得信赖的选择。

IRFIZ24NPBF-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 45A
Vds-漏源极击穿电压 60V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 27mΩ@10V,31mΩ@4.5V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IRFIZ24NPBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFIZ24NPBF-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFIZ24NPBF-VB IRFIZ24NPBF-VB数据手册

IRFIZ24NPBF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
1000+ ¥ 1.8212
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起订量: 15 增量: 1000
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型号 价格(含增值税)
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