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ZXMN2A04DN8-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,20V,8A,RDS(ON),15mΩ@10V,22mΩ@4.5V,30mΩ@2.5V,12Vgs(±V);0.9Vth(V) 封装:SOP8
供应商型号: ZXMN2A04DN8-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) ZXMN2A04DN8-VB

ZXMN2A04DN8-VB概述

    ZXMN2A04DN8 双通道 N 沟道 20V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    ZXMN2A04DN8 是一款双通道 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高效率电源管理和电机控制应用而设计。该器件符合 RoHS 和无卤素标准,适用于广泛的工业、消费电子和汽车电子产品。该器件采用SO-8封装,提供了出色的热性能和高可靠性。

    2. 技术参数


    - 工作电压:最高耐压 VDS 为 20V
    - 最大连续漏极电流 (ID):在 25°C 环境温度下可达 7.1A;在 70°C 下可达 5.7A
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM):40A(脉冲宽度 ≤ 10 µs,占空比 ≤ 2%)
    - 栅极-源极击穿电压 (VGS):±12V
    - 最大功率耗散 (PD):在 25°C 下为 2W;在 70°C 下为 1.3W
    - 工作温度范围:存储和操作温度范围 -55°C 至 150°C
    - 热阻 (RthJA):62.5°C/W

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻 (RDS(on)):在 VGS=4.5V 时,RDS(on) 最小值为 0.019Ω,典型值为 0.025Ω;在 VGS=2.5V 时,RDS(on) 最小值为 0.026Ω,典型值为 0.035Ω
    - 100% 测试:所有产品都进行了栅极电阻测试 (Rg)
    - 环保材料:无卤素,符合 IEC 61249-2-21 和 RoHS 2002/95/EC 标准
    - 高性能:高阈值电压 (VGS(th)),低栅极泄漏电流 (IGSS),适用于高频率开关应用

    4. 应用案例和使用建议


    ZXMN2A04DN8 主要应用于开关电源、电机驱动、电池充电器等高效率转换电路中。在实际应用中,用户可以利用其低导通电阻特性,减少能耗并提高系统的整体效率。例如,在电机驱动应用中,可以通过优化控制算法进一步降低功耗。此外,建议在高温度环境下使用时,注意散热设计以确保器件长期稳定运行。

    5. 兼容性和支持


    - 封装:SO-8 封装,易于焊接和布局
    - 制造商支持:VBsemi 提供详尽的技术支持,包括产品选型指南、应用笔记和技术咨询服务

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:如何测量导通电阻 (RDS(on))?
    解决方案:使用示波器和万用表,将栅极电压设置为 4.5V 或 2.5V,并测量漏极和源极之间的电压降,再通过公式计算得出 RDS(on)。

    - 问题:脉冲工作时发热过多怎么办?
    解决方案:检查系统散热设计,确保散热片和散热孔足够大以增加散热面积。必要时可考虑增加外置散热器。

    7. 总结和推荐


    ZXMN2A04DN8 在低导通电阻、高可靠性和环保特性方面表现优异,非常适合需要高效率、高频率和宽温度范围的应用。结合其优良的热性能和高可靠性,强烈推荐用于各类高要求的电源管理和电机控制系统中。如果您正在寻找一种高效、可靠的 MOSFET 解决方案,ZXMN2A04DN8 将是一个明智的选择。

ZXMN2A04DN8-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 12V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 900mV
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 15mΩ@10V,22mΩ@4.5V
配置 -
Id-连续漏极电流 8A
最大功率耗散 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

ZXMN2A04DN8-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

ZXMN2A04DN8-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 ZXMN2A04DN8-VB ZXMN2A04DN8-VB数据手册

ZXMN2A04DN8-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
25+ ¥ 1.1656
100+ ¥ 1.0793
500+ ¥ 1.0361
4000+ ¥ 0.9929
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