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IRF9Z24NS-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-60V,-30A,RDS(ON),58mΩ@10V,70mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~-3Vth(V) 封装:TO263
供应商型号: IRF9Z24NS-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF9Z24NS-VB

IRF9Z24NS-VB概述

    IRF9Z24NS-VB P-Channel 60V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    IRF9Z24NS-VB 是一款 P-通道增强型功率 MOSFET,以其卓越的性能和广泛的应用范围而备受关注。其核心特性包括采用先进的 TrenchFET 技术,具备高可靠性和低导通电阻(RDS(on)),能够在多种高电流应用场景中表现出色。这款器件主要用于电源开关、负载开关以及 DC/DC 转换器等关键电路中。根据其技术规格,该器件符合环保标准,如 RoHS 和 IEC 61249-2-21,展现出在现代电子设计中的环境友好性。

    技术参数


    以下为 IRF9Z24NS-VB 的主要技术规格:
    - 漏源击穿电压 (VDS):60V
    - 最大连续漏极电流 (ID):-35A
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM):-100A
    - 最大导通电阻 (RDS(on)):0.048Ω(@VGS=-10V), 0.060Ω(@VGS=-4.5V)
    - 总栅极电荷 (Qg):67nC
    - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C
    此外,IRF9Z24NS-VB 具备出色的热阻抗特性,Junction-to-Ambient 热阻抗为 60°C/W(PCB安装条件下)。它还通过了严格的 UIS 测试,确保其具备优异的雪崩耐受能力。

    产品特点和优势


    IRF9Z24NS-VB 的核心优势在于其采用的 TrenchFET 技术,使其拥有极低的导通电阻和高效能的开关性能。这种设计能够显著降低功耗并提高系统效率。另外,该器件支持高达 -100A 的脉冲电流能力,使其非常适合需要瞬间大电流输出的高可靠性应用场合。其 RoHS 合规性和无卤素特性进一步增强了其在绿色电子领域的竞争力。

    应用案例和使用建议


    IRF9Z24NS-VB 在多个领域有着广泛应用,例如:
    1. 电源开关:可作为高效率的功率开关元件,适用于工业级和消费类电子产品。
    2. 负载开关:在高电流场景下提供可靠的负载切换能力。
    3. DC/DC 转换器:适合用于需要高性能驱动器的电源转换应用。
    针对具体应用,建议如下:
    - 使用时需注意工作环境温度和电流限制,避免长时间处于极端条件下运行。
    - 在设计 PCB 布局时,应参考推荐的最小焊盘尺寸,以保证良好的散热效果和机械稳定性。

    兼容性和支持


    IRF9Z24NS-VB 可直接替换其他同类 P 沟道 MOSFET 器件,并且具有良好的互操作性。厂商提供全方位的技术支持,包括详细的参考设计指南和技术文档下载服务。此外,客户可通过官网或服务热线(400-655-8788)联系技术支持团队获取帮助。

    常见问题与解决方案


    以下是一些常见的使用问题及其对应的解决方法:
    1. 过温保护失效:确保正确安装散热片或加装风扇进行强制冷却。
    2. 启动延迟时间长:检查栅极驱动电路是否匹配建议值,必要时调整 Rg 电阻。
    3. 过流损坏:确认负载电流不超过器件额定值,并合理设置保护电路。

    总结和推荐


    总体而言,IRF9Z24NS-VB 是一款高性能、高可靠性的 P 沟道 MOSFET,特别适合于高电流密度和苛刻环境下的应用需求。其优秀的性价比、强大的技术保障以及广泛的适用范围,使其成为众多工程师的理想选择。因此,强烈推荐将其纳入各类高性能电子系统的元器件清单中。

IRF9Z24NS-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -1V~-3V
Id-连续漏极电流 30A
配置 -
FET类型 1个P沟道
Vds-漏源极击穿电压 60V
Rds(On)-漏源导通电阻 58mΩ@10V,70mΩ@4.5V
通道数量 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRF9Z24NS-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF9Z24NS-VB数据手册

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IRF9Z24NS-VB封装设计

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