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IRLI3615P-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,200V,20A,RDS(ON),90mΩ@10V,100mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.5Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: IRLI3615P-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRLI3615P-VB

IRLI3615P-VB概述


    产品简介


    IRLI3615P-VB 是一款 N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),工作电压可达 200V。这款产品主要用于电源管理、马达控制、负载开关和其他需要高功率处理的应用场合。其表面贴装设计使其适用于现代紧凑型电路板设计。此外,它具备低漏电、快速开关和完全雪崩击穿保护等特性,能够满足严苛的工作环境要求。

    技术参数


    | 参数 | 规格 |

    | VDS(最大漏源电压) | 200V |
    | RDS(on)(导通电阻) | VGS = 10V时,0.058Ω |
    | Qg(栅极电荷) | 最大值 64nC |
    | 静态特性
    | - VDS(漏源击穿电压) | VGS = 0V,ID = 250μA时,200V |
    | - ΔVDS/TJ(温度系数) | 参考25℃,ID = 1mA时,-0.29V/℃ |
    | - VGS(th)(门限电压) | VDS = VGS,ID = 250μA时,2.0-4.0V |
    | 动态特性
    | - 输入电容Ciss | VGS = 0V,VDS = 25V,f = 1MHz时,1300pF |
    | - 输出电容Coss | 430pF |
    | - 转移电容Crss | 130pF |
    | 绝对最大额定值
    | - VDS(漏源电压) | 200V |
    | - VGS(门源电压) | ±20V |
    | - 连续漏电流ID(TC=25°C) | 20A |
    | - 单脉冲雪崩能量EAS | 580mJ |
    | 工作温度范围 | -55°C 至 +150°C |

    产品特点和优势


    1. 环保材料:符合RoHS和无卤素标准,适用于对环保要求较高的应用。
    2. 低功耗:导通电阻低,确保在高电流条件下也能保持低功耗。
    3. 快速开关:具备快速开关特性,有助于提高电路的整体效率。
    4. 高温耐受:可承受高达150°C的极端工作温度,保证稳定运行。
    5. 高可靠性:完全雪崩击穿保护,确保在极端条件下的可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电源转换:适用于各种开关电源设计,如DC-DC转换器。
    - 电机驱动:在电机控制系统中用作开关元件,实现高效能电机驱动。
    - 负载开关:作为负载开关使用,减少电路中的电压损耗。
    使用建议
    1. 散热设计:考虑到MOSFET的高功率密度,建议进行良好的散热设计以避免过热。
    2. 布局优化:为了减少寄生电感的影响,应尽量减少电路板上的走线长度,采用大面积接地平面。
    3. 测试验证:在实际应用前,应进行严格的电气特性和热稳定性测试,确保产品符合设计需求。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IRLI3615P-VB 与大多数主流电路板和电源管理系统兼容,可以方便地集成到现有的设计中。
    - 支持服务:VBsemi 提供全面的技术支持,包括详细的用户手册、产品文档和在线技术支持服务。客户还可以通过拨打 400-655-8788 获得进一步的支持。

    常见问题与解决方案


    1. 问:MOSFET在高温下是否会失效?
    答:不会。IRLI3615P-VB 可承受高达150°C的工作温度,并具有完全雪崩击穿保护功能。

    2. 问:如何优化MOSFET的散热?
    答:采用大散热片并确保良好的空气流通,或者在PCB上增加散热焊盘以帮助热量散出。
    3. 问:MOSFET的使用寿命有多长?
    答:在正常使用条件下,IRLI3615P-VB 的使用寿命可达数万小时以上。然而,具体寿命取决于工作条件和散热措施。

    总结和推荐


    IRLI3615P-VB N-Channel MOSFET 具备出色的性能和高可靠性,适用于多种高功率电子系统。其环保特性、快速开关和高工作温度能力使其在市场上具有显著的竞争优势。综合来看,我们强烈推荐使用这款产品来提升电子系统的性能和可靠性。

IRLI3615P-VB参数

参数
最大功率耗散 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 90mΩ@10V,100mΩ@4.5V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 20A
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 200V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IRLI3615P-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRLI3615P-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRLI3615P-VB IRLI3615P-VB数据手册

IRLI3615P-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 6.8029
100+ ¥ 6.299
500+ ¥ 5.795
1000+ ¥ 5.5431
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型号 价格(含增值税)
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