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KD2306A-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单通道N沟道场效应晶体管(Single N),采用Trench工艺制造。它的主要参数包括:最大漏极-源极电压(VDS)为30V,最大栅极-源极电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为1.7V,以及在不同栅极-源极电压下的导通电阻等。该器件采用SOT23-3封装,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。
供应商型号: KD2306A-VB SOT23
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) KD2306A-VB

KD2306A-VB概述

    KD2306A N-Channel 30-V MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    KD2306A 是一款由 VBsemi 生产的 N 沟道 30V(D-S)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该产品具备一系列卓越的特性,特别适用于直流-直流转换器、电源管理和电机驱动等领域。TrenchFET® 技术的应用使其具有高效率和低导通电阻,从而显著提升整体系统的性能。

    2. 技术参数


    KD2306A 的主要技术参数如下:
    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | 30 | V |
    | 持续漏极电流 (TJ = 150°C) | 5.0 | A |
    | 最大功率耗散 | 0.7 | W |
    | 绝对最大额定值温度范围 | -55 至 150 | °C |
    | 导通电阻 (VGS = 10 V) | 0.030 | Ω |
    | 阈值电压 (VGS = 10 V) | 0.7 至 2.0 | V |

    3. 产品特点和优势


    KD2306A 具有以下特点和优势:
    - TrenchFET® 技术:提供出色的导通特性和低栅极电荷,有助于提高开关速度并减少功耗。
    - 无卤素:符合 IEC 61249-2-21 标准,适合环保要求高的应用。
    - RoHS 合规:满足欧盟 RoHS 指令 2002/95/EC 的规定。
    - 高可靠性:100% 测试保证栅极电阻 (Rg),确保产品质量。

    4. 应用案例和使用建议


    KD2306A 广泛应用于 DC/DC 转换器、电池充电器和电机驱动系统。为了确保最佳性能,在实际应用中应注意以下几点:
    - 散热管理:保持良好的热管理,以避免过热损坏。
    - 栅极驱动:使用适当的栅极驱动器,以确保快速可靠的开关操作。
    - 电路布局:在设计 PCB 时,要充分考虑电源线和接地线的布局,以减少寄生电感和噪声。

    5. 兼容性和支持


    KD2306A 采用标准的 TO-236/SOT-23 封装,易于与其他标准电路板设计集成。VBsemi 提供详细的技术支持和维护服务,确保客户能够充分利用其产品功能。

    6. 常见问题与解决方案


    以下是用户在使用过程中可能遇到的一些常见问题及其解决方法:
    - 问题:过热现象
    - 解决方案:增加散热片或改善热管理策略,确保系统处于安全工作范围内。

    - 问题:阈值电压波动
    - 解决方案:检查栅极电阻和电路布局,确保其满足器件要求。

    7. 总结和推荐


    KD2306A N 沟道 MOSFET 是一款高性能、可靠且高效的元器件,非常适合用于需要高效率和紧凑尺寸的应用场合。其出色的导通电阻和 TrenchFET® 技术使其在市场上具有显著的竞争力。总体而言,KD2306A 是一个值得推荐的选择。如果你正在寻找一种可以提升系统性能、同时满足现代环保要求的 MOSFET,KD2306A 将是一个理想的选择。

KD2306A-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 6.5A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.2V~2.2V
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 30mΩ@10V,33mΩ@4.5V
通道数量 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 2.1nC@ 4.5V
Vds-漏源极击穿电压 30V
FET类型 1个N沟道
配置 -
通用封装 SOT-23
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

KD2306A-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

KD2306A-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 KD2306A-VB KD2306A-VB数据手册

KD2306A-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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300+ ¥ 0.3234
500+ ¥ 0.3105
3000+ ¥ 0.2975
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