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UT2302L-AE3-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,20V,6A,RDS(ON),24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V);0.45~1Vth(V) 封装:SOT23-3
供应商型号: UT2302L-AE3-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT2302L-AE3-VB

UT2302L-AE3-VB概述

    电子元器件技术手册:UT2302L-AE3 N-Channel 20V MOSFET

    1. 产品简介


    UT2302L-AE3是一款由VBsemi推出的N沟道20V(漏极-源极)功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。其采用先进的TrenchFET®技术,提供了卓越的性能和可靠性,适用于多种电子应用领域。
    主要功能:
    - 高效开关控制能力
    - 低导通电阻(RDS(on)),降低功耗
    - 快速开关速度,提升电路效率
    应用领域:
    - DC/DC转换器
    - 手持设备中的负载开关
    - 消费电子、通信设备及工业控制

    2. 技术参数


    以下是UT2302L-AE3的关键技术规格:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极电压 | VDS | - | 20 | - | V |
    | 漏极连续电流(TJ=150°C) | ID | - | 6A | - | A |
    | 最大脉冲漏极电流 | IDM | - | 20 | - | A |
    | 导通电阻 | RDS(on) | 0.028 | 0.042 | 0.050 | Ω |
    | 输入电容 | Ciss | 865 | - | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | 105 | - | - | pF |
    | 反向传输电容 | Crss | 55 | - | - | pF |
    | 总栅极电荷 | Qg | 8.8 | - | 18 | nC |
    | 工作温度范围 | TJ, Tstg | -55 | - | 150 | °C |
    其他关键特性:
    - 温度系数:ΔVDS/TJ = 25 mV/°C
    - 保证符合RoHS指令2002/95/EC及无卤素标准

    3. 产品特点和优势


    UT2302L-AE3具备以下显著特点:
    1. 低导通电阻:在典型操作条件下,RDS(on)值最低可达0.028Ω,显著降低了功率损耗。
    2. 高效率:快速开关速度和低栅极电荷确保其在高频应用中的高效表现。
    3. 坚固耐用:提供高达20V的漏极-源极电压,适合各种严苛的工业和消费电子环境。
    4. 绿色制造:符合RoHS标准并实现无卤素设计,适合环保要求较高的应用领域。
    这些特点使其成为高效率和低能耗电路设计的理想选择,尤其在便携式设备和负载管理应用中表现出色。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    1. DC/DC转换器:UT2302L-AE3可以作为高效的开关元件,用于电压调节和稳压。
    2. 手持设备负载开关:其低功耗和高开关频率特性使其非常适合用于电池供电设备的负载控制。
    使用建议:
    - 在设计DC/DC转换器时,可将UT2302L-AE3与高容量电容器配合使用,以增强输出稳定性。
    - 确保热管理设计良好,特别是在高温环境下工作时,可添加散热片或优化PCB布局来提高可靠性。

    5. 兼容性和支持


    UT2302L-AE3的SOT-23封装与多种焊接工艺兼容,适合表面贴装技术(SMT)生产流程。VBsemi提供全面的技术支持和售后服务,包括设计指导和故障排查服务。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 设备过热 | 检查散热措施是否到位 |
    | 开关效率低下 | 检查驱动电路设计是否匹配器件参数 |
    | 热阻抗过高 | 增加散热片或改进PCB热传导路径 |

    7. 总结和推荐


    UT2302L-AE3以其出色的导通电阻、快速开关特性和环保特性,在便携式电源管理和负载控制领域具有广泛的应用前景。其卓越的性价比和可靠性使其成为开发人员的首选。我们强烈推荐此产品用于需要高性能和高效率的电路设计中。
    如果您正在寻找一款性能稳定、易于集成且符合环保要求的MOSFET,UT2302L-AE3无疑是一个理想的选择。

UT2302L-AE3-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 8V
通道数量 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 450mV~1V
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V
Id-连续漏极电流 6A
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UT2302L-AE3-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT2302L-AE3-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT2302L-AE3-VB UT2302L-AE3-VB数据手册

UT2302L-AE3-VB封装设计

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