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K3569-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N沟道MOSFET,具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的门-源电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。采用平面工艺制造,具有TO220F封装,适用于各种应用场景
供应商型号: K3569-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3569-VB

K3569-VB概述

    # K3569-VB N-Channel 650V Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    K3569-VB 是一款高性能的N-Channel 650V功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET),适用于多种高效率电源转换应用。其核心特性包括低导通电阻(RDS(on))和低栅极电荷(Qg),使其在各种应用中表现出色,尤其是在高频率和高温环境下。
    主要功能
    - 低导通电阻(RDS(on)):确保低功耗和高效能。
    - 低输入电容(Ciss):有助于减少开关损耗。
    - 超低栅极电荷(Qg):降低驱动功率需求。
    - 重复脉冲雪崩能量(UIS):增强可靠性和稳定性。
    应用领域
    - 服务器和电信电源供应
    - 开关模式电源供应(SMPS)
    - 功率因数校正电源供应(PFC)
    - 照明系统(如高强度放电灯和荧光灯)
    - 工业应用

    技术参数


    以下是 K3569-VB 的技术规格,根据制造商的数据手册整理得出:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压(最大) | VDS 650 | V |
    | 漏源电压温度系数 | ΔVDS/TJ -0.75 V/°C |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 3 5 | V |
    | 零栅源电压漏电流 | IDSS 1 | μA |
    | 导通电阻 | RDS(on) 0.15 Ω |
    | 输入电容 | Ciss | pF |
    | 输出电容 | Coss | pF |
    | 总栅电荷 | Qg 43 nC |

    产品特点和优势


    K3569-VB 的独特功能包括:
    - 低栅极电荷(Qg):有助于降低驱动电路的能耗。
    - 低输入电容(Ciss):减少开关损耗,提高整体效率。
    - 重复脉冲雪崩能量(UIS):增强了器件的可靠性和稳定性,能够在极端条件下正常工作。
    - 低导通电阻(RDS(on)):保证低功耗和高效率。
    这些特性使得 K3569-VB 在高功率密度和高频率的电源转换应用中具有显著的竞争优势。

    应用案例和使用建议


    K3569-VB 广泛应用于服务器、电信设备以及照明系统等领域的电源转换设备中。以下是一些具体的应用案例及使用建议:
    - 服务器电源:为确保长时间稳定运行,应选择合适的散热方式以控制结温,避免热应力引起的可靠性问题。
    - 电信设备:在高频操作环境中,注意布局设计以减少寄生电感,确保信号完整性。
    - 照明系统:针对不同的灯具类型(如 HID 和荧光灯),调整驱动电路的设计,以实现最佳匹配。
    使用建议
    1. 优化散热设计:为了确保高效率和可靠性,建议采用适当的散热方案。
    2. 合理布局:在设计电路时,应注意布线的简洁性和合理性,以减小杂散电感。
    3. 保护措施:在使用过程中增加必要的过流和过压保护措施,提高系统的稳定性。

    兼容性和支持


    K3569-VB 与常见的电子元件和设备兼容,可广泛应用于各类电源转换应用中。制造商提供全面的技术支持,包括产品咨询、故障诊断和技术文档更新。

    常见问题与解决方案


    根据手册中的信息,以下是用户可能遇到的一些常见问题及其解决方案:
    1. 发热问题:过度发热可能导致器件失效。建议增加散热措施,如使用散热片或风扇来帮助降温。
    2. 开关频率过高导致的振荡:通过优化电路设计减少杂散电感,避免高频振荡问题。
    3. 噪声干扰:使用屏蔽电缆和良好的接地策略可以有效减少噪声干扰。

    总结和推荐


    K3569-VB N-Channel 650V Power MOSFET 展现出了卓越的性能和可靠性,在多种电源转换应用中表现出色。其低导通电阻、低栅极电荷和高可靠性使得其在高频率和高功率密度的应用中成为首选。因此,强烈推荐将此产品用于服务器、电信设备和工业应用中的电源转换设计中。

K3569-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通道数量 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 12A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 680mΩ@ 10V
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3569-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3569-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3569-VB K3569-VB数据手册

K3569-VB封装设计

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