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UTT15P06G-TN3-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-60V,-38A,RDS(ON),61mΩ@10V,72mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.3Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: UTT15P06G-TN3-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UTT15P06G-TN3-VB

UTT15P06G-TN3-VB概述

    # UTT15P06G-TN3 P-Channel 60-V (D-S) MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    UTT15P06G-TN3 是一款高性能的 P 沟道 60V 功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用 TO-252 封装形式。这款产品是 UTT 系列中的代表型号之一,主要用于负载开关和相关电路设计。其低导通电阻(RDS(on))和高电流处理能力使其广泛应用于开关电源、电机驱动、电池管理等领域。

    技术参数


    以下是 UTT15P06G-TN3 的关键技术参数,这些数据能够帮助工程师快速了解产品的性能范围和限制条件:
    电气特性
    - 漏源击穿电压(VDS): 60 V
    - 导通电阻(RDS(on)):
    - 在 VGS = -10 V 下:0.061 Ω(标准值)
    - 在 VGS = -4.5 V 下:0.072 Ω
    - 连续漏极电流(ID): -30 A
    - 脉冲漏极电流(IDM): -25 A
    绝对最大额定值
    - 栅源电压(VGS): ±20 V
    - 工作温度范围(TJ, Tstg): -55°C 至 +175°C
    - 最大功率耗散(PD):
    - TA = 25°C 时为 4 W
    - TC = 25°C 时为 34 W
    热阻抗
    - 结至环境热阻抗(RthJA): 20°C/W
    - 结至外壳热阻抗(RthJC): 5°C/W

    产品特点和优势


    1. TrenchFET® 技术
    利用先进的沟槽结构,显著降低了导通电阻,提高了效率。

    2. 完全 UIS 测试
    保证产品具备出色的雪崩耐受能力,适合高能量冲击的应用场景。
    3. 低导通电阻
    即使在高结温下(175°C),RDS(on) 仍能保持较低水平,适合高温工作环境。
    4. 快速开关性能
    具有低门电荷(Qg),使开关损耗更小,适用于高频应用。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    - 负载开关
    UTT15P06G-TN3 常用于负载切换,特别是在需要高效能、低功耗的设计中,如电机控制和电池管理系统。

    - 便携式设备
    由于其高电流能力和低功耗,它也非常适合手持设备和其他低电压场景。
    使用建议
    - 散热设计
    高功率工作时需要确保良好的散热条件,建议使用散热片或加大 PCB 散热面积。
    - 输入信号设计
    确保 VGS 足够的负偏置以保证可靠的关断状态。

    兼容性和支持


    UTT15P06G-TN3 支持多种标准焊接工艺和 PCB 设计规范,可与其他 TO-252 封装的元器件互换。VBsemi 提供全面的技术支持,包括样品申请、设计咨询和售后服务。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关过程中发热严重 | 加强散热措施,比如增加散热片或改进 PCB 设计。 |
    | 导通电阻随温度升高而变大 | 确保良好散热条件,避免长时间满载工作。 |
    | 关断不完全 | 检查 VGS 是否达到完全关断所需的电压值。 |

    总结和推荐


    UTT15P06G-TN3 是一款高性能、高可靠性的 P 沟道功率 MOSFET,尤其适合需要低导通电阻和高功率密度的应用场景。其优异的热管理和快速开关特性,使其成为众多工业和消费电子领域的理想选择。我们强烈推荐在设计负载开关和电源转换电路时优先考虑此产品。
    如需进一步技术支持,请联系我们的服务热线:400-655-8788。

    以上内容根据 UTT15P06G-TN3 的技术手册进行了系统整理,希望能够为您的设计提供参考价值!

UTT15P06G-TN3-VB参数

参数
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 60V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.3V
FET类型 1个P沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 61mΩ@10V,72mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 38A
最大功率耗散 -
配置 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UTT15P06G-TN3-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UTT15P06G-TN3-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UTT15P06G-TN3-VB UTT15P06G-TN3-VB数据手册

UTT15P06G-TN3-VB封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.3325
100+ ¥ 2.1597
500+ ¥ 2.0733
2500+ ¥ 1.987
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起订量: 15 增量: 2500
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