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IRF7342QTR-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-60V,-5.3A,RDS(ON),58mΩ@10V,70mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~-3Vth(V) 封装:SOP8
供应商型号: IRF7342QTR-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF7342QTR-VB

IRF7342QTR-VB概述

    IRF7342QTR Dual P-Channel 60-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    IRF7342QTR 是一款由 VBsemi 生产的双P沟道60V MOSFET。这款MOSFET采用TrenchFET®技术,具有无卤素、高可靠性等特点,广泛应用于负载开关等领域。IRF7342QTR 可用于各类高电压、高电流的应用场合,是电源管理和开关控制的理想选择。

    技术参数


    | 参数 | 描述 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压(VDS) | 在VGS = 0 V时的漏源电压 | - 60 V |
    | 阈值电压(VGS(th)) | 在VDS = VGS时的阈值电压 | - 1.0 | - 3.0 V |
    | 零栅电压漏极电流(IDSS)| 在VDS = -30 V, VGS = 0 V时的漏极电流 | - 1 μA |
    | 开态漏极电流(ID(on))| 在VDS ≥ -10 V, VGS = -10 V时的漏极电流 - 30 | A |
    | 开态漏源电阻(RDS(on))| 在VGS = -10 V, ID = -6.3 A时的漏源电阻 | 0.05 Ω |
    | 饱和温度系数 | 在ID = -250 μA时的饱和电压温度系数 - 31 mV/°C |
    | 驱动电容(Ciss) | 在VDS = -15 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz时的输入电容 1345 pF |
    | 输出电容(Coss) | 在VDS = -15 V, VGS = 0 V时的输出电容 210 pF |
    | 转移电容(Crss) | 在VDS = -15 V, VGS = 0 V时的反向转移电容 180 pF |
    | 总栅电荷(Qg) | 在VDS = -15 V, VGS = -10 V时的总栅电荷 | 32 | 50 nC |
    | 栅源电荷(Qgs) | 在VDS = -15 V, VGS = -10 V时的栅源电荷 | 4 nC |

    产品特点和优势


    - 无卤素设计:IRF7342QTR 采用了环保无卤素材料,符合欧盟RoHS标准,适合绿色环保应用。
    - 高可靠性:100% UIS测试保证了产品的可靠性,适用于高电压、大电流的工作环境。
    - 低导通电阻:开态漏源电阻低至0.05Ω(VGS=-10V),确保低损耗,提高效率。
    - 高阈值电压:阈值电压范围为-1.0V到-3.0V,确保精确控制和稳定的运行。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    IRF7342QTR 主要应用于负载开关中。例如,在开关电源设计中,它可以作为主控开关管,控制电流流向,保护电路免受过压、过流的影响。
    使用建议:
    - 确保驱动电压VGS在合适的范围内,以获得最佳的导通电阻和工作效率。
    - 注意散热设计,避免因过热导致器件损坏。可以通过增加散热片或者选用大功率模块来改善散热效果。

    兼容性和支持


    - IRF7342QTR 支持与多种电路板和设备的兼容,可以广泛应用于各种高电压应用中。
    - 厂商提供了详尽的技术支持和维护文档,用户可以在遇到问题时及时联系VBsemi获取帮助。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 过高的漏电流导致系统不稳定 | 检查电路连接是否正确,确认电源电压是否正常 |
    | 工作温度超出规定范围导致失效 | 优化散热设计,降低工作温度 |
    | 噪声干扰导致控制不稳定 | 使用屏蔽线缆,增强电路抗干扰能力 |

    总结和推荐


    IRF7342QTR 是一款性能卓越的P沟道MOSFET,具备出色的可靠性、低导通电阻和高效能。它非常适合应用于高电压、大电流的场合,如负载开关和开关电源设计。对于需要高效和可靠的电源管理的应用来说,这款产品是一个理想的选择。综上所述,我们强烈推荐使用IRF7342QTR。

IRF7342QTR-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 5.3A
栅极电荷 -
配置 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -1V~-3V
Vds-漏源极击穿电压 60V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
FET类型 1个P沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 58mΩ@10V,70mΩ@4.5V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRF7342QTR-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF7342QTR-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRF7342QTR-VB IRF7342QTR-VB数据手册

IRF7342QTR-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.6248
100+ ¥ 2.4304
500+ ¥ 2.236
4000+ ¥ 2.1388
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