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WNM2016-3-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,20V,6A,RDS(ON),24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V);0.45~1Vth(V) 封装:SOT23-3
供应商型号: WNM2016-3-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) WNM2016-3-VB

WNM2016-3-VB概述


    产品简介


    N-Channel 20V (D-S) MOSFET
    N-Channel 20V (D-S) MOSFET是一种高压功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET),适用于各种电力转换和控制应用。这种MOSFET特别适合用于直流-直流(DC/DC)转换器以及便携式应用中的负载开关。其核心特点包括低导通电阻(RDS(on))、高电流承载能力以及良好的热稳定性。

    技术参数


    - 额定电压(VDS): 20 V
    - 导通电阻(RDS(on)):
    - 0.028 Ω @ VGS = 4.5 V, ID = 5.0 A
    - 0.042 Ω @ VGS = 2.5 V, ID = 4.7 A
    - 0.050 Ω @ VGS = 1.8 V, ID = 4.3 A
    - 连续漏极电流(ID):
    - 6 A @ TC = 25 °C
    - 5.1 A @ TC = 70 °C
    - 5 A @ TA = 25 °C
    - 4 A @ TA = 70 °C
    - 脉冲漏极电流(IDM): 20 A
    - 最大功率耗散(PD):
    - 2.1 W @ TC = 25 °C
    - 1.3 W @ TC = 70 °C
    - 1.25 W @ TA = 25 °C
    - 0.8 W @ TA = 70 °C
    - 最大栅极电压(VGS): ±12 V
    - 存储温度范围(Tstg): -55 °C 到 150 °C
    - 工作温度范围(TJ): -55 °C 到 150 °C
    - 绝对最大额定值:
    - 最大脉冲持续时间:≤300 µs,占空比≤2%
    - 最大焊接温度:260°C

    产品特点和优势


    - 低导通电阻(RDS(on)): 低RDS(on)可显著降低功耗,提高效率。
    - 高可靠性: 符合RoHS指令和无卤素标准,确保长期稳定运行。
    - 高温稳定性: 具有出色的热稳定性,适合在宽温度范围内工作。
    - 快速响应时间: 具有优秀的动态特性,适合高频开关应用。
    - 环保设计: 采用无卤素材料制造,符合IEC 61249-2-21标准。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. DC/DC转换器: 在高效率DC/DC转换器中,该MOSFET可以作为主控开关,显著提升转换效率。
    2. 便携式设备负载开关: 在电池供电的设备中,该MOSFET可用作负载开关,提供高可靠性和长寿命。
    使用建议
    - 散热管理: 确保良好散热,特别是在高电流工作条件下,以防止过热。
    - 栅极驱动电路: 使用合适的栅极电阻(Rg)以优化开关速度和降低开关损耗。
    - 环境温度监控: 在高温环境下工作时,监控结温以避免超过安全极限。

    兼容性和支持


    - 封装兼容性: 采用SOT-23封装,易于集成到现有电路板设计中。
    - 厂商支持: 厂商提供详细的技术文档和测试报告,便于客户进行二次开发和优化。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 如何避免过热?
    - A: 确保良好的散热措施,如使用散热片或散热器,避免长时间高负荷工作。
    2. Q: 如何选择合适的栅极电阻(Rg)?
    - A: 根据具体应用需求,通过实验或仿真选择合适的Rg,以达到最优的开关性能和效率。
    3. Q: 为什么选择无卤素材料?
    - A: 无卤素材料不仅环保,而且在极端条件下更稳定,有助于提高产品的长期可靠性。

    总结和推荐


    综上所述,N-Channel 20V (D-S) MOSFET具有多种优势,包括低导通电阻、高可靠性和良好的热稳定性。它特别适合于DC/DC转换器和便携式设备中的负载开关应用。推荐在需要高效率和高可靠性的电力控制和转换应用中使用该产品。

WNM2016-3-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 8V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V
配置 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 450mV~1V
Id-连续漏极电流 6A
Vds-漏源极击穿电压 20V
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

WNM2016-3-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

WNM2016-3-VB数据手册

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WNM2016-3-VB封装设计

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