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ZXMN6A11Z-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,5A,RDS(ON),76mΩ@10V,88mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SOT89-3
供应商型号: ZXMN6A11Z-VB SOT89-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) ZXMN6A11Z-VB

ZXMN6A11Z-VB概述

    # ZXMN6A11Z N-Channel MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    ZXMN6A11Z 是一款 N 沟道增强型 0-V (D-S) MOSFET,采用 TrenchFET® 技术制造。该器件被广泛应用于便携式设备中的负载开关设计。ZXMN6A11Z 不仅环保,符合 RoHS 和无卤素要求,还以其低导通电阻(RDS(on))和高性能动态参数,满足现代电子系统对效率和可靠性的需求。
    主要功能
    - 高能效:超低的导通电阻(RDS(on)),适用于功率管理领域。
    - 快速开关:具有优秀的开关速度和低栅极电荷(Qg),适合高频电路。
    - 耐用性强:采用耐高温材料,可承受-55°C 至 150°C 的工作温度范围。

    应用领域
    - 便携式电子设备:智能手机、平板电脑等设备的负载开关。
    - 电源管理模块:电源管理系统中的高效开关器件。
    - 通信设备:作为高效功率控制器件,广泛应用于无线通信设备中。

    技术参数


    以下是 ZXMN6A11Z 的关键技术参数汇总:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压(静态) | VDS | 0 | - | 60 | V |
    | 导通电阻(典型值) | RDS(on) | 0.076 | 0.088 | - | Ω |
    | 连续漏极电流(TJ=150°C) | ID | - | 7.1/8.7 | - | A |
    | 漏源击穿电压温度系数 | ΔVDS/TJ | - | 25 | - | mV/°C |
    | 栅极泄漏电流 | IGSS | ±100 | - | - | nA |
    | 工作温度范围 | TJ,TSTG | -55 | - | 150 | °C |
    此外,该器件的其他重要特性包括:
    - 极速开关时间:td(on) 10-25ns,td(off) 25-40ns。
    - 高速反向恢复特性:trr 20-40ns,Qrr 10-20nC。
    - 热阻抗:RthJA 40-50°C/W。

    产品特点和优势


    ZXMN6A11Z 的核心优势在于其卓越的能效和出色的热管理能力:
    1. 低功耗设计:低导通电阻显著降低了功耗,提高了系统的整体效率。
    2. 高速开关性能:极短的开关延迟时间和上升时间,使它成为高频电路的理想选择。
    3. 环保特性:无卤素和 RoHS 合规性使其成为绿色电子产品的首选。
    4. 高可靠性:经过严苛的工作温度范围测试,适用于苛刻的工业环境。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    ZXMN6A11Z 常用于便携式设备的负载开关设计。例如,在智能手机中,这款器件可以控制充电模块与电池之间的连接,确保高效的能量传输。
    使用建议
    1. 在设计过程中,需根据实际电路需求选择合适的驱动电路,以充分发挥其快速开关性能。
    2. 为了提高散热效率,可以添加额外的散热片或 PCB 散热设计。
    3. 对于高频应用场景,尽量减少寄生电感和寄生电容的影响,以避免不必要的信号失真。

    兼容性和支持


    ZXMN6A11Z 采用 SOT89 封装,易于焊接和集成到现有的 PCB 中。制造商提供了全面的技术支持,包括详细的设计指南和在线技术支持服务。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关延迟时间过长 | 检查驱动电路的设计,优化驱动电阻。 |
    | 系统发热严重 | 添加散热片或优化 PCB 散热设计。 |
    | 开关频率过高导致稳定性下降 | 降低开关频率,或改进滤波电路设计。 |

    总结和推荐


    ZXMN6A11Z N-Channel MOSFET 是一款兼具高效能和可靠性的电子元件,特别适用于便携式设备的负载开关设计。其低导通电阻、快速开关时间和高可靠性使其在市场上具备显著的竞争优势。我们强烈推荐此产品用于需要高效能和紧凑设计的应用场景。
    如需更多技术支持或定制化解决方案,请联系台湾 VBsemi 官方支持团队。
    结论:高度推荐。

ZXMN6A11Z-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 76mΩ@10V,88mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 5A
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

ZXMN6A11Z-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

ZXMN6A11Z-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 ZXMN6A11Z-VB ZXMN6A11Z-VB数据手册

ZXMN6A11Z-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
35+ ¥ 0.8746
100+ ¥ 0.8098
500+ ¥ 0.7773
1000+ ¥ 0.745
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