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TSM2312CX-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,20V,6A,RDS(ON),24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V);0.45~1Vth(V) 封装:SOT23-3
供应商型号: TSM2312CX-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) TSM2312CX-VB

TSM2312CX-VB概述

    N-Channel 20V (D-S) MOSFET — TSM2312CX

    产品简介


    TSM2312CX是一款采用TrenchFET®技术的N沟道20V(D-S)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这款MOSFET广泛应用于直流转换器和便携式应用的负载开关。其设计考虑了环境友好性,符合IEC 61249-2-21标准,并且完全符合RoHS指令2002/95/EC的要求。该产品通过严格的可靠性测试,100% Rg测验表明其稳定性和耐用性。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | 20 | - | - | V |
    | 漏极连续电流 | ID | 6a | 5.1 | 4b, c | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | - | - | 20 | A |
    | 源漏二极管连续电流 | IS | 1.75 | - | 1.04b, c | A |
    | 最大功率耗散 | PD | 2.1 | 1.3 | 1.25b, c | W |
    | 工作结温和存储温度范围 | TJ, Tstg | -55 | - | 150 | °C |

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻(RDS(on)):TSM2312CX具有出色的导通电阻性能,在不同门极电压下的典型值分别为0.028Ω(VGS = 4.5 V)、0.042Ω(VGS = 2.5 V)和0.050Ω(VGS = 1.8 V)。这使其在多种应用中表现出色,尤其是在高效率要求的应用中。
    2. 低栅极电荷:该器件的总栅极电荷为8.8到14 nC,能够快速开关,降低功耗。
    3. 环境友好性:该产品采用无卤素材料制造,符合RoHS标准,适合环保要求高的应用。

    应用案例和使用建议


    1. 直流转换器:在DC/DC转换器中,TSM2312CX可以作为高效开关元件,减少功率损耗,提高转换效率。
    2. 负载开关:在便携式设备中,使用TSM2312CX作为负载开关,可实现稳定的电源管理。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,注意散热,确保温度不超过最大限制。
    - 考虑到其低导通电阻特性,建议在需要高电流密度的场合下使用。

    兼容性和支持


    该MOSFET与标准SOT-23封装兼容,便于安装和使用。制造商提供详尽的技术文档和支持服务,帮助客户顺利进行设计和生产。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:最大电流是否会超出额定值?
    - 解决方法:确保在电路设计中遵守规定的电流限值,避免过载。
    2. 问题:在高温环境下运行时如何保证可靠性?
    - 解决方法:采用有效的散热措施,例如加装散热片或强制风冷,以保持温度在安全范围内。

    总结和推荐


    TSM2312CX是一款高性能、低成本的N沟道MOSFET,特别适用于高效率需求的应用场景。其卓越的导通电阻和低栅极电荷特性,使其在直流转换器和便携式设备负载开关应用中表现出色。同时,它满足RoHS和无卤素标准,适合各种环保要求的应用。
    综上所述,强烈推荐使用TSM2312CX,尤其适用于需要高效和可靠性的应用。

TSM2312CX-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 6A
Vds-漏源极击穿电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V
Vgs-栅源极电压 8V
通道数量 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 450mV~1V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

TSM2312CX-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

TSM2312CX-VB数据手册

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TSM2312CX-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
115+ ¥ 0.2328
300+ ¥ 0.2156
500+ ¥ 0.207
3000+ ¥ 0.1984
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