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IRFR3708TR-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,30V,60A,RDS(ON),10mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: IRFR3708TR-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFR3708TR-VB

IRFR3708TR-VB概述


    产品简介


    N-Channel 30-V MOSFET(N沟道30伏特MOSFET)
    该产品属于功率场效应晶体管(MOSFET)系列,是一种高效的N沟道MOSFET,适用于多种电力控制和转换应用。主要功能是用于直流电路中的开关控制、电源管理等场景。N-Channel 30-V MOSFET特别适用于服务器、直流/直流转换器等领域。该产品符合欧盟的RoHS标准。

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 漏极-源极电压 (VDS): 30 V
    - 栅极-源极电压 (VGS): ± 20 V
    - 持续漏极电流 (TJ = 175 °C):
    - TC = 25 °C: 25.8 A
    - TA = 70 °C: 22 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 250 A
    - 单脉冲雪崩电流 (IAS): 39 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 94.8 mJ
    - 连续源极-漏极二极管电流 (IS): 90 A
    - 最大功耗 (TC = 25 °C): 205 W
    - 热阻抗 (RthJA): 32 - 40 °C/W
    规格
    - 漏极-源极击穿电压 (VDS): 30 V
    - 漏极-源极导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS = 10 V, ID = 38.8 A: 0.005 Ω
    - VGS = 4.5 V, ID = 37 A: 0.006 Ω
    - 零栅极电压漏极电流 (IDSS): 1 μA
    - 转导电导 (gfs): 160 S
    - 输入电容 (Ciss): 525 pF
    - 输出电容 (Coss): 270 pF
    - 总栅极电荷 (Qg): 61 - 107 nC
    - 栅极-源极电荷 (Qgs): 10 nC
    - 栅极-漏极电荷 (Qgd): 6 nC
    - 栅极电阻 (Rg): 1.4 - 2.1 Ω

    产品特点和优势


    - 高可靠性:通过100%的Rg和UIS测试,保证产品具有高度可靠性和稳定性。
    - 高效能:极低的导通电阻 (RDS(on)) 和高转导电导 (gfs),使得该MOSFET能够在多种应用中实现高效的开关控制。
    - 宽工作温度范围:-55°C 至 175°C 的工作温度范围,确保在极端环境下也能正常工作。
    - 符合环保标准:符合RoHS和无卤素标准,满足现代电子设备的环保要求。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 服务器电源管理:利用其高可靠性及高效的电力控制能力,广泛应用于服务器电源管理系统中。
    - 直流/直流转换器:能够承受高瞬时电流,适用于需要快速响应和高效率的直流/直流转换器。
    使用建议
    - 在设计电路时,确保散热系统的有效性,特别是在高电流工作状态下。
    - 根据应用需求选择合适的栅极驱动电压和电阻,以优化功耗和开关速度。
    - 定期进行性能测试和检查,确保长期稳定运行。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品为TO-252封装,可以方便地与其他电子设备兼容连接。
    - 支持和服务:VBsemi公司提供全面的技术支持,包括详细的安装指南、故障排查手册和技术文档。

    常见问题与解决方案


    - 问题:产品无法正常开启。
    - 解决方案:检查栅极电压是否达到额定值,确保外部电路连接正确。
    - 问题:过热现象严重。
    - 解决方案:检查散热系统是否有效,必要时添加额外的散热装置。
    - 问题:导通电阻增加。
    - 解决方案:检查是否受到外界干扰或长时间高负荷工作影响,适当降低工作频率或增加冷却措施。

    总结和推荐


    N-Channel 30-V MOSFET凭借其出色的性能和可靠性,在电力控制和转换应用中表现出色。它的低导通电阻和高效率使其成为多种应用的理想选择。尽管在高温下工作的稳定性和散热系统的有效性需要额外注意,但总体而言,这款MOSFET是一款值得推荐的产品。如果需要高效稳定的电力控制解决方案,该产品将是您的理想选择。

IRFR3708TR-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
栅极电荷 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 10mΩ@10V,11mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 60A
最大功率耗散 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

IRFR3708TR-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFR3708TR-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFR3708TR-VB IRFR3708TR-VB数据手册

IRFR3708TR-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 1.2101
2500+ ¥ 1.1597
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