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FQT5P10TF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-100V,-3A,RDS(ON),200mΩ@10V,240mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:SOT223
供应商型号: FQT5P10TF-VB SOT223
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FQT5P10TF-VB

FQT5P10TF-VB概述

    # FQT5P10TF P-Channel 100-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本信息
    FQT5P10TF 是一款采用 TrenchFET® 技术的 P 沟道 MOSFET,具有高性能和高可靠性。它广泛应用于多种电源管理领域,如中间直流/直流电源中的有源钳位、照明应用中的 H 桥高压侧开关等。
    主要功能
    - 具有优异的开关特性和低导通电阻(RDS(on))。
    - 经过100%的Rg和UIS测试,确保产品可靠性。
    - 支持高电流(最大连续电流为3A),适用于多种高功率应用。
    应用领域
    - 中间直流/直流电源中的有源钳位电路。
    - 照明应用中的 H 桥高压侧开关。

    技术参数


    | 参数名称 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |

    | 栅极阈值电压 | V | -4 | -2.5 | -2 |
    | 导通电阻 | Ω 0.200 | 0.230 |
    | 栅极电荷 | nC 13.2 | 17.5 |
    | 最大脉冲电流 | A 12
    | 连续源-漏二极管电流 | A 4.9

    产品特点和优势


    FQT5P10TF 的独特功能使其在众多同类产品中脱颖而出,主要优势如下:
    - 低导通电阻:典型值为0.200Ω (VGS = -10V),能有效降低功耗,提高系统效率。
    - 高可靠性:100%的Rg和UIS测试确保其稳定性。
    - 宽工作温度范围:-55°C至150°C的工作温度范围使其适应各种恶劣环境。
    - 快速开关速度:低栅极电荷和低反向恢复时间使得其在高频应用中表现出色。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    FQT5P10TF 可以用于如下场景:
    - 在照明应用中的 H 桥电路中作为高压侧开关,提供可靠的开关控制。
    - 在中间直流/直流电源中作为有源钳位电路的一部分,增强系统的稳定性和可靠性。
    使用建议
    - 在设计 H 桥电路时,确保 MOSFET 能够承受峰值电流和电压,以避免损坏。
    - 在散热设计上,考虑到最大功耗为6.5W,在没有额外散热措施的情况下,推荐使用更大的散热片或散热风扇。

    兼容性和支持


    FQT5P10TF 采用 SOT-223 封装,易于安装和焊接。它具有良好的兼容性,可与其他标准电路板兼容。厂商提供了丰富的技术支持文档,包括应用指南和技术资料,方便用户快速了解并正确使用产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何确保 FQT5P10TF 的导通电阻最小化?
    - 解答:通过调整栅极电压至合适的值(通常为-10V)来实现最小化的导通电阻。
    2. 问题:如果系统需要更高的电流怎么办?
    - 解答:可以通过并联多个 MOSFET 来增加总电流处理能力。
    3. 问题:如何计算散热需求?
    - 解答:依据功耗计算所需的散热片尺寸,确保工作温度不超过150°C。

    总结和推荐


    FQT5P10TF 是一款出色的 P 沟道 MOSFET,具有低导通电阻、高可靠性和广泛的应用范围。它的独特功能使其在众多高要求的电源管理和照明应用中表现出色。对于需要高性能、高可靠性的工程师来说,这款产品是理想的选择。
    我们强烈推荐使用 FQT5P10TF,尤其是对性能和可靠性有高要求的应用。

FQT5P10TF-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 3A
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 200mΩ@10V,240mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 100V
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V~4V
FET类型 1个P沟道
通用封装 SOT-223
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

FQT5P10TF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FQT5P10TF-VB数据手册

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FQT5P10TF-VB封装设计

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