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WPM3005-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nVBsemi的Single P系列产品是一种单路P沟道场效应晶体管(MOSFET),是一种灵活多用、性能稳定的电子元件,适用于各种不同的领域和模块。\nVDS(漏极-源极电压)为-30V,VGS(栅极-源极电压)范围为±20V,阈值电压(Vth)为-1.7V。在VGS=4.5V时的导通电阻为54mΩ,在VGS=10V时为46mΩ,最大漏极电流(ID)为-5.6A(负数表示为P沟道器件),这些MOSFET采用Trench技术制造,封装形式为SOT23-3。
供应商型号: WPM3005-VB SOT23
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) WPM3005-VB

WPM3005-VB概述

    # WPM3005 P-Channel 30V MOSFET 技术手册解析

    一、产品简介


    产品类型
    WPM3005是一款P-Channel 30V(漏极-源极)TrenchFET®功率MOSFET。该产品专为移动计算应用设计,适用于负载开关、笔记本适配器开关和DC/DC转换器等领域。
    主要功能
    - 高效率:低导通电阻(RDS(on)),适用于高效能电路设计。
    - 快速开关:具有较低的输入电容和输出电容,确保快速开关性能。
    - 热稳定性好:采用先进的封装技术,提供良好的热传导性能。
    应用领域
    - 移动计算设备中的电源管理
    - 笔记本电脑及其适配器
    - 各种DC/DC转换器和负载开关应用

    二、技术参数


    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极电压(击穿电压) | VDS | -30 | -30 | -30 | V |
    | 漏极电流(连续) | ID | -5.6 | -5.4 | -4.3 | A |
    | 漏极电流(脉冲) | IDM | - | - | -18 | A |
    | 导通电阻 | RDS(on) | 0.046 | 0.049 | 0.054 | Ω |
    | 输入电容 | Ciss | 1295 | - | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | 150 | - | pF |
    | 反向传输电容 | Crss | - | 130 | - | pF |
    | 总栅极电荷 | Qg | 11.4 | 17 | - | nC |

    三、产品特点和优势


    1. 高性能TrenchFET®技术:通过创新的沟槽技术显著降低导通电阻并提升开关速度。
    2. 高可靠性:所有样品均经过100%栅极电阻测试,保证产品的一致性和质量。
    3. 低功耗:RDS(on)值低至0.046Ω(VGS = -10V),有效减少功率损耗。
    4. 宽温度范围:工作温度范围为-55°C到+150°C,适合极端环境下的应用需求。

    四、应用案例和使用建议


    应用案例
    - 负载开关:用于笔记本电脑内部的电源管理系统,动态调节各模块的工作状态。
    - DC/DC转换器:实现高效能电压转换,满足现代电子设备对电源的需求。
    使用建议
    - 确保散热良好,避免因过热导致性能下降。
    - 配合合适的驱动电路以充分利用快速开关特性。
    - 注意匹配输入/输出电容值,防止高频振荡现象的发生。

    五、兼容性和支持


    兼容性
    WPM3005与主流PCB设计工具和生产设备高度兼容,可广泛应用于各种便携式电子产品中。
    支持
    VBsemi公司提供全面的技术支持和服务网络,包括但不限于产品选型指导、样片申请及定制化解决方案等服务。

    六、常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关时间过长 | 调整栅极电阻值以优化开关速度。 |
    | 过热保护触发 | 增加外部散热措施如增加散热片。 |
    | 系统噪声过大 | 减少不必要的电磁干扰源并改善接地设计。 |

    七、总结和推荐


    综合评估
    WPM3005凭借其卓越的性能指标、紧凑的设计和广泛的适用范围,在电子元器件市场上表现出色。特别是在移动计算领域,它能够有效提升系统效率并延长电池寿命。
    推荐结论
    强烈推荐WPM3005作为高效能P-Channel MOSFET的理想选择。无论是针对消费类电子产品还是工业控制领域,该产品都能提供可靠的解决方案。

WPM3005-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 30V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
FET类型 1个P沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V
Rds(On)-漏源导通电阻 47mΩ@10V,56mΩ@4.5V
配置 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 5.6A
通用封装 SOT-23
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

WPM3005-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

WPM3005-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 WPM3005-VB WPM3005-VB数据手册

WPM3005-VB封装设计

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