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IRF7101TR-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,20V,8A,RDS(ON),15mΩ@10V,22mΩ@4.5V,30mΩ@2.5V,12Vgs(±V);0.9Vth(V) 封装:SOP8
供应商型号: IRF7101TR-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF7101TR-VB

IRF7101TR-VB概述

    IRF7101TR 20V Dual N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    IRF7101TR 是一款高性能的双N沟道20V MOSFET,由台湾VBsemi公司生产。它采用了TrenchFET®技术,确保了卓越的性能和可靠性。这款MOSFET适用于多种电力电子应用,如开关电源、电机驱动和逆变器等。此外,IRF7101TR还符合RoHS和卤素无害标准(IEC 61249-2-21),符合环保要求。

    技术参数


    - 电压参数:
    - 漏源电压(VDS):20V
    - 最大栅源电压(VGS):±12V
    - 持续漏电流(TJ=150°C):25°C时为7.1A,70°C时为5.7A
    - 脉冲漏电流(10 µs脉冲宽度):40A
    - 持续源电流(二极管导通):1.7A
    - 阻抗参数:
    - 最大热阻(RthJA):62.5°C/W
    - 电阻(RDS(on)):4.5V栅源电压下,漏电流为7.1A时为0.019Ω;2.5V栅源电压下,漏电流为6.0A时为0.026Ω
    - 其他参数:
    - 通道电流(ID(on)):在VDS≥5V,VGS=4.5V时,最大值为20A
    - 阈值电压(VGS(th)):VDS=VGS,ID=250 µA时,范围为0.6至1.5V
    - 开启延迟时间(td(on)):VDD=10V,RL=10Ω时,范围为10 ns
    - 关闭延迟时间(td(off)):38 ns

    产品特点和优势


    1. 环保设计:IRF7101TR 符合RoHS和卤素无害标准,对环境友好。
    2. 高可靠性和稳定性:通过100%栅极电阻(Rg)测试,确保每个单元的可靠性和一致性。
    3. 优越的热性能:具有较低的热阻(RthJA),能够在高温环境下保持稳定性能。
    4. 快速开关特性:低阈值电压和快速开关时间使其适合高频应用。
    5. 多功能兼容性:SO-8封装,便于表面贴装,适合广泛的应用场合。

    应用案例和使用建议


    - 开关电源:由于其高效率和快速开关能力,非常适合用于开关电源的设计,提高电源转换效率。
    - 电机驱动:在电机驱动应用中,IRF7101TR可以提供快速响应和稳定的电流控制,提升电机的性能。
    - 逆变器:在逆变器中,其高耐压和低电阻特性可以有效减少功耗,提高逆变器的转换效率。
    使用建议:
    1. 在安装时,应确保焊接时间和温度不超过规定范围,以避免损坏MOSFET。
    2. 在高频率应用中,应考虑外部电路设计,以优化IRF7101TR的性能。
    3. 注意散热管理,尤其是在高功率应用中,合理的散热措施可以显著延长MOSFET的使用寿命。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IRF7101TR采用标准SO-8封装,与多种电路板设计兼容,便于集成。
    - 支持和服务:台湾VBsemi公司提供技术支持和售后服务,客户可以通过服务热线400-655-8788获取相关信息和技术支持。

    常见问题与解决方案


    1. 如何避免栅极氧化:使用适当的栅极驱动电路,确保驱动信号的稳定性和可靠性。
    2. 过载保护:在设计应用电路时,应考虑加入过载保护电路,防止电流过大导致MOSFET损坏。
    3. 散热管理:选择合适的散热器或散热片,确保MOSFET工作在适宜的温度范围内。

    总结和推荐


    综上所述,IRF7101TR是一款功能强大且可靠的MOSFET,适用于各种电力电子应用。其优异的性能参数、环保设计和高可靠性使其在市场上具有很强的竞争力。推荐在需要高效率和高可靠性的应用中选用此款MOSFET。

IRF7101TR-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 12V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 900mV
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 15mΩ@10V,22mΩ@4.5V,30mΩ@2.5V
Vds-漏源极击穿电压 20V
配置 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 8A
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRF7101TR-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF7101TR-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRF7101TR-VB IRF7101TR-VB数据手册

IRF7101TR-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
30+ ¥ 1.0492
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500+ ¥ 0.9326
4000+ ¥ 0.8938
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