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WPM2341A-3/TR-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n-20V,-4A,RDS(ON),57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.81Vth(V) 封装:'SOT23-3\n一款单P型MOSFET,适用于多种电源和功率控制应用,包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。
供应商型号: WPM2341A-3/TR-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) WPM2341A-3/TR-VB

WPM2341A-3/TR-VB概述

    WPM2341A-3/TR P-Channel 20-V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    WPM2341A-3/TR 是一款P沟道20-V(D-S)MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种高要求的应用场合。这种MOSFET采用了先进的TrenchFET®技术,能够在低导通电阻(RDS(on))下提供出色的电流控制能力。它广泛应用于负载开关、功率放大器开关以及直流到直流转换器等场景。

    2. 技术参数


    - 主要参数:
    - 最大漏源电压 (VDS):20V
    - 最大栅源电压 (VGS):±12V
    - 漏极连续电流 (ID):最高5A(取决于温度)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):最高18A
    - 最大功耗 (PD):2.5W(25°C)
    - 电气特性:
    - 在不同VGS条件下,RDS(on)(导通电阻)如下:
    - VGS = -10V时,0.035Ω
    - VGS = -4.5V时,0.043Ω
    - VGS = -2.5V时,0.061Ω
    - 总门极电荷 (Qg):10nC(典型值)
    - 零门极电压漏电流 (IDSS):最大-1μA
    - 工作环境:
    - 最高工作结温 (TJ):150°C
    - 储存温度范围:-55°C 至 150°C

    3. 产品特点和优势


    - 零卤素:符合IEC 61249-2-21标准,减少环境污染。
    - 高效率:RDS(on)值低,显著减少能量损耗。
    - 可靠性:100% Rg测试,确保产品质量。
    - RoHS合规:符合欧盟RoHS指令2002/95/EC标准。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 负载开关:可用于需要快速响应的负载切换场合,如电机控制。
    - PA开关:适用于无线电通信系统中的功率放大器开关。
    - 直流到直流转换器:在电源管理中用于调节电压。
    - 使用建议:
    - 确保散热良好,特别是在高温环境下使用。
    - 使用适当的电路布局和布线,以减少寄生电容和电感的影响。
    - 在选择门极驱动电阻时,需考虑Qg值,以确保开关速度适中。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:与常见的SOT-23封装兼容,便于集成到现有设计中。
    - 支持:制造商提供全面的技术支持和售后服务,包括产品规格书和技术文档下载。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:高温环境下功耗过高。
    - 解决办法:确保良好的散热措施,如增加散热片或使用热管。
    - 问题2:电流过载导致损坏。
    - 解决办法:适当降低输入电压或增加限流保护电路。
    - 问题3:导通电阻过高。
    - 解决办法:检查门极驱动电压是否合适,或者考虑更换其他型号的MOSFET。

    7. 总结和推荐


    WPM2341A-3/TR 是一款高效、可靠的P沟道MOSFET,适用于多种工业和消费电子应用。其优异的电气性能和广泛的适用范围使其成为市场上非常有竞争力的产品。总体而言,强烈推荐给需要高性能、低成本解决方案的设计工程师。
    以上是对WPM2341A-3/TR 的详细介绍,涵盖了产品特性、技术参数、应用场景及注意事项等内容,希望对您选择合适的MOSFET产品有所帮助。

WPM2341A-3/TR-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 12V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 810mV
Rds(On)-漏源导通电阻 57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 4A
最大功率耗散 -
配置 -
FET类型 1个P沟道
通道数量 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

WPM2341A-3/TR-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

WPM2341A-3/TR-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 WPM2341A-3/TR-VB WPM2341A-3/TR-VB数据手册

WPM2341A-3/TR-VB封装设计

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