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IRFZ24NS-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,40A,RDS(ON),23mΩ@10V,27mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO263一款高性能的功率MOSFET,适用于多种领域的功率电子应用。具有高效、稳定和可靠的特性,可满足不同应用场景的需求。
供应商型号: IRFZ24NS-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFZ24NS-VB

IRFZ24NS-VB概述


    产品简介


    IRFZ24NS-VB N-Channel 60 V MOSFET
    IRFZ24NS-VB是一款N沟道60V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于表面贴装。它具备多种特性,如逻辑电平门驱动、快速开关和无卤素特性,符合RoHS标准。这款MOSFET适用于需要高效率和快速开关的应用,如电机控制、电源转换器和其他电力电子系统。

    技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 \(V{DS}\): 60V
    - 栅源电压 \(V{GS}\): ±10V
    - 持续漏极电流(\(TC = 25^\circ\)C)\(ID\): 50A
    - 脉冲漏极电流 \(I{DM}\): 200A
    - 最大功率耗散(\(TC = 25^\circ\)C)\(PD\): 150W
    - 最大结温 \(TJ\): 175°C
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压 \(V{DS}\): 60V
    - 栅源阈值电压 \(V{GS(th)}\): 1.0V 至 3.0V
    - 零栅压漏电流 \(I{DSS}\): 25μA(\(V{DS} = 60V\))
    - 漏源导通电阻 \(R{DS(on)}\):
    - 0.032Ω(\(V{GS} = 10V\))
    - 0.035Ω(\(V{GS} = 4.5V\))
    - 动态参数
    - 输入电容 \(C{iss}\): 3000pF
    - 输出电容 \(C{oss}\)
    - 门源电荷 \(Q{gs}\)
    - 门源充电 \(Q{gd}\)

    产品特点和优势


    - 逻辑电平门驱动:使得控制电路的设计更为简单,降低了设计复杂度。
    - 快速开关:在高频应用中表现出色,提升了系统的整体性能。
    - 无卤素和RoHS合规:符合严格的环保要求,适用于各类绿色环保产品。
    - 高性能:低导通电阻 \(R{DS(on)}\) 和高脉冲漏极电流 \(I{DM}\),保证了出色的性能和可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用场景:适用于电动机驱动、直流到直流转换器和开关电源等。例如,在电动机驱动系统中,IRFZ24NS-VB可以用于调节电机的转速和方向。
    使用建议:
    - 确保散热良好,以防止过热。由于它的最大功率耗散为150W,适当的散热措施是必要的。
    - 在布线时,尽量减少寄生电感的影响,以提高性能。确保地平面尽可能完整和平坦,降低漏电。

    兼容性和支持


    IRFZ25NS-VB采用D2PAK封装,适合表面贴装。由于其标准化的引脚配置,它与许多其他表面贴装技术和标准的PCB布局兼容。此外,制造商提供全面的技术支持和维护服务,确保用户能够获得最佳的使用体验。

    常见问题与解决方案


    1. 问:在什么条件下会出现导通电阻增加?
    - 答: 当温度超过最大允许温度时,导通电阻会增加。确保在应用中有效散热。
    2. 问:如何避免脉冲损坏?
    - 答: 使用时要遵循推荐的脉冲宽度和占空比限制,以免损坏设备。
    3. 问:是否有任何特定的焊接温度限制?
    - 答: 推荐的峰值焊接温度为300°C,持续时间为10秒。过高的温度可能会损害设备。

    总结和推荐


    IRFZ24NS-VB N-Channel 60 V MOSFET以其高性能、高可靠性、快速开关能力和广泛的适用范围,成为电子系统中的优秀选择。特别是对于需要高性能和可靠性的应用,它是非常值得推荐的产品。用户应特别注意散热设计和脉冲条件的限制,以充分发挥其性能优势。

IRFZ24NS-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 40A
配置 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
Rds(On)-漏源导通电阻 23mΩ@10V,27mΩ@4.5V
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRFZ24NS-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFZ24NS-VB数据手册

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IRFZ24NS-VB封装设计

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