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IRF630MFP-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,200V,10A,RDS(ON),283mΩ@10V,300mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: IRF630MFP-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF630MFP-VB

IRF630MFP-VB概述


    产品简介


    IRF630MFP-VB N-Channel MOSFET
    IRF630MFP-VB是一款N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种电力转换和控制应用。它的额定电压为200伏,连续漏极电流为6.5安培(在100℃条件下)。这款MOSFET具备高可靠性、低损耗的特点,广泛应用于开关电源、电机驱动器、太阳能逆变器等领域。

    技术参数


    | 参数 | 标称值 | 最大值 |
    |
    | 漏源击穿电压(VDS) | 200 V
    | 门源阈值电压(VGS(th)) | 2.0~4.0 V
    | 零门电压漏极电流(IDSS) | - | 25 µA |
    | 导通电阻(RDS(on)) | 0.265 Ω
    | 栅极电荷(Qg) | 16 nC
    | 门栅电荷(Qgs) | 4.4 nC
    | 栅极漏极电荷(Qgd) | 7.7 nC
    | 动态dv/dt额定值 | 5.5 V/ns
    | 最大峰值二极管恢复电压(dV/dt) | - | 5.5 V/ns |
    | 热阻抗(结至环境)(RthJA) | - | 65 °C/W |
    | 热阻抗(结至外壳)(RthJC) | - | 4.1 °C/W |

    产品特点和优势


    IRF630MFP-VB的主要特点和优势如下:
    - 高电压隔离:具有2.5 kVRMS的高压隔离能力,确保了更高的安全性和可靠性。
    - 高温度耐受性:可在高达175℃的环境下工作,适合恶劣的工作条件。
    - 低热阻:通过降低热阻提高了散热效率,从而提高了使用寿命。
    - 动态dv/dt额定值:能够在高频率下快速切换,适用于各种高速应用。
    - 无铅设计:符合RoHS标准,对环境友好。
    这些特点使得IRF630MFP-VB成为众多高要求应用的理想选择,尤其是在需要高效能和可靠性的环境中。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    IRF630MFP-VB在开关电源、电机驱动器和逆变器等场合中有广泛应用。例如,在开关电源中,它可以用于控制输入电压,确保稳定的输出;在电机驱动器中,它能够提供高效能的电流控制,提高系统整体效率。
    使用建议
    1. 散热管理:由于其高功率密度,需要注意良好的散热措施,避免因过热导致的性能下降。
    2. 电路布局:在设计电路时,尽量减少寄生电感的影响,确保信号完整性。
    3. 门极驱动:选用合适的门极驱动器以确保MOSFET能够在最大dv/dt下稳定工作。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IRF630MFP-VB可以与各种标准电源和控制系统兼容,便于集成到现有系统中。
    - 支持:制造商提供详细的技术文档和专业的技术支持,确保用户能够顺利使用产品。

    常见问题与解决方案


    1. 如何避免过热?
    - 解决方案:确保适当的散热措施,如使用散热片和风扇,同时保持良好的电路布局,减少寄生电感的影响。
    2. 如何正确接线?
    - 解决方案:遵循手册中的接线图和步骤,注意正负极连接,避免反接。
    3. 如何进行调试?
    - 解决方案:使用示波器监测关键点的波形,确保波形符合预期。如果出现问题,参考手册中的故障排除部分。

    总结和推荐


    IRF630MFP-VB是一款高性能、高可靠性的N沟道MOSFET,具有出色的电气特性和优良的热性能。适用于高要求的应用场景,特别是在需要高电压隔离和高效能的地方。总体而言,我们非常推荐这款产品,无论是对于新项目还是现有系统的升级都是一次不错的选择。

IRF630MFP-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 200V
通道数量 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 283mΩ@10V,300mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
配置 -
Id-连续漏极电流 10A
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IRF630MFP-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF630MFP-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRF630MFP-VB IRF630MFP-VB数据手册

IRF630MFP-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 2.5919
1000+ ¥ 2.4839
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