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IRFR3709ZCT-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,30V,100A,RDS(ON),2mΩ@10V,3mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: IRFR3709ZCT-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFR3709ZCT-VB

IRFR3709ZCT-VB概述


    产品简介


    N-Channel 30-V MOSFET IRFR3709ZCT
    IRFR3709ZCT 是一款 N-沟道增强型 MOSFET,采用 TO-252 封装形式。这款 MOSFET 特别适用于电源管理、服务器系统和直流-直流转换器等应用。产品采用了先进的 TrenchFET 技术,具有低导通电阻(RDS(on))和高电流处理能力,能够实现高效能的功率开关操作。

    技术参数


    以下是 IRFR3709ZCT 的主要技术参数:
    - 电压范围: VDS = 30 V
    - 最大漏极电流: ID = 100 A (25°C)
    - 最大脉冲漏极电流: IDM = 300 A
    - 最大源-漏二极管电流: IS = 90 A (25°C)
    - 最大功耗: PD = 235 W (25°C)
    - 最高工作温度: TJ, Tstg = -55°C 到 +175°C
    - 热阻: RthJA = 32°C/W (最大值)
    静态参数
    - 阈值电压: VGS(th) = 1.5 V ~ 2.5 V
    - 栅源泄漏电流: IGSS = ±100 nA
    - 零栅电压漏电流: IDSS < 1 µA (VDS = 30 V, VGS = 0 V)
    动态参数
    - 输入电容: Ciss = 5201 pF (VDS = 15 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz)
    - 输出电容: Coss = 1525 pF
    - 反向传输电容: Crss = 770 pF
    - 总栅电荷: Qg = 151 nC ~ 227 nC (VDS = 15 V, VGS = 10 V, ID = 38.8 A)

    产品特点和优势


    IRFR3709ZCT 的核心优势包括:
    - 低导通电阻: 最大导通电阻为 0.002 Ω,确保在不同条件下均能提供出色的电流控制能力。
    - 高可靠性: 100% Rg 和 UIS 测试,确保产品的可靠性和稳定性。
    - 符合 RoHS 指令: 兼容环保标准,适合各类商业及工业应用。
    - 宽工作温度范围: 能够在极端环境下稳定运行,满足各种严苛的应用需求。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    IRFR3709ZCT 广泛应用于多种场合,例如服务器系统的 OR-ing 场景、直流-直流转换器等。这些场景要求 MOSFET 具备高效率、低功耗和高可靠性,而 IRFR3709ZCT 正是这些需求的理想选择。
    使用建议
    1. 热管理: 使用时要注意散热,尤其是在大电流条件下,需要确保良好的散热设计以防止过热。
    2. 电路布局: 在电路板上布置 MOSFET 时,应尽量缩短走线长度,减少寄生电感,提高整体电路的稳定性和效率。
    3. 保护措施: 配合使用保险丝和稳压器等保护器件,以避免因过流或过压造成的损坏。

    兼容性和支持


    IRFR3709ZCT 可以与其他标准电路和设备兼容,适用于广泛的电源管理和控制应用。制造商提供全面的技术支持和保修服务,确保客户在使用过程中得到充分的帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 无法达到预期的电流处理能力
    - 解决方案: 检查电路布局和散热设计,确保足够的散热面积。

    2. 问题: 温度过高导致性能下降
    - 解决方案: 增加外部散热器,或更换更高热阻的 MOSFET。
    3. 问题: 阈值电压不一致
    - 解决方案: 确认安装正确,并检查测试条件是否符合规格书中的规定。

    总结和推荐


    总体来看,IRFR3709ZCT 是一款具备高性价比和高性能的 N-沟道 MOSFET,尤其适用于高可靠性要求的服务器和直流-直流转换器等应用。其低导通电阻、高电流处理能力和宽工作温度范围使其在市场上具备很强的竞争力。对于追求高效、可靠的电源管理解决方案的工程师来说,IRFR3709ZCT 是一个值得推荐的选择。

IRFR3709ZCT-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2mΩ@10V,3mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
配置 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Id-连续漏极电流 100A
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRFR3709ZCT-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFR3709ZCT-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFR3709ZCT-VB IRFR3709ZCT-VB数据手册

IRFR3709ZCT-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 1.9004
2500+ ¥ 1.8212
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